Featured paper: Graphene sheets engraved with helium ions.


 The scientific paper by members of the Brazilian community on Materials research featured this month is:

Archanjo, B.S.; Fragneaud, B.; Cancado, L.G.; Winston, D.; Miao, F.; Achete, C.A.; Medeiros-Ribeiro, G. Graphene nanoribbon superlattices fabricated via He ion lithography. Appl. Phys. Lett. 104, 193114 (2014); http://dx.doi.org/10.1063/1.4878407.

Graphene sheets engraved with helium ions

In a study led by researchers from Brazil and recently published in Applied Physics Letters (APL), scientists have engraved, on graphene sheets, nanosized periodic patterns, using a new method for that application, the helium hion beam lithography.

The team of scientists used a helium ion microscope (HIM) in order to bombard graphene with these ions and, thus, engrave parallel lines of length 1mm and width of only 5 nm, defining, among them, 20 nm-width ribbons (nanoribbons).

In addition to being quick and simple, the method has proven to be very accurate: it generated point defects smaller than other similar techniques and significantly preserved the atomic structure of the nanoribbons.

The new method extends the application possibilities of graphene, which, it is worth highlighting, is a flat material (it is only one atom tall) composed of densely packed carbon atoms, and which stands out because it can be used in nanoscale and for its high mechanical resistance, great electricity and heat conduction, transparency, and flexibility, among other properties.

“Direct writing in graphene using the focused beams of helium ions allows the fast manufacturing of different devices”, says Braulio Archanjo, researcher at the Brazilian National Institute of Metrology, Quality, and Technology (Inmetro) and lead author of the APL’s article. As an example, Archanjo mentions the possibility of manufacturing, in a near future, in pure graphene, the so-called “PN junctions”, essencial structures in semiconductor devices such as diodes and transistors, widely used in the production of electronics. Today, these structures are basically made in silicon.

AFM topographic image (3D) of graphene surface on SiO2.

The story of the work

In the context of studies on graphene metrology performed in the recent years at Inmetro, reports Archanjo, emerged the idea of manufacturing, in a controlled manner, periodic “defect” patterns, such as the parallel lines of the APL work. In 2012, an Inmetro team, in collaboration with researchers of the Federal University of Minas Gerais (UFMG), published a paper on periodic patterns engraved on graphene using a beam of gallium ions through FIB (focused ion beam) equipment.

Later, in a meeting of Archanjo with professors Carlos Achete, from the Federal University of Rio de Janeiro (UFRJ) and from Inmetro, and Gilberto Medeiros, from UFMG and from the research and development laboratory of Hewlett-Packard (HP Labs), a second work was planned, which would use, instead of FIB equipment, a HIM equipment, which resolution is up to ten times higher, but which is still not available in Brazilian territory.

So Archanjo spent three weeks in Silicon Valley, in the United States, using the HIM of HP Labs to make lithography in graphene samples manufactured at Inmetro. “We brought together the expertise we have here regarding graphene defects with the expertise of the HP Labs researchers regarding using a microscope of focused beams of helium ions”, summarizes the Inmetro researcher.

When he went back to Brazil with several graphene samples with engraved periodic patterns, the team began, at Inmetro, the study of such samples through atomic force microscopy and Raman spectroscopy. “This stage of the work was performed together with professors Benjamin Fragneaud, from the Federal University of Juiz de Fora (UFJF) and Luiz Gustavo Cançado, from UFMG”, tells Archanjo.

HIM: soon in Brazil

In the first semester of 2015, announces Archanjo, Brazil should have its first helium ion microscope. “The experience we gained performing the study at HP Labs will allow us to install it and use it”, says the researcher. The equipment will be available at Inmetro.

SBPMat´s community people: an interview with Fernando Lázaro Freire Junior.


Professor Fernando Lázaro Freire Júnior.

On May 6th, at the Naval School of Rio de Janeiro, the Brazilian Academy of Sciences (ABC) held the tenure ceremony of its new members, elected in a process of nomination and evaluation by their peers, performed throughout 2013. In the event, 24 scientists were assigned as full members of ABC.  Among those, in the field of Physical Sciences, there was Professor Fernando Lázaro de Freire Junior, Materials researcher and former president of SBPMat.

Contemplating the ideia of being a researcher, Fernando Lázaro chose to graduate with a Bachelor’s degree in Physics by the Pontifical Catholic University of Rio de Janeiro (PUC-RIO), earning it in 1978. In 1979, he started teaching in the same university, while attending his Master’s (1979-1981) and Doctorate (1981-1985) courses in Physics there. During his graduate studies, Fernando Lázaro made his first scientific interventions in the field of Materials by means of an ion accelerator, initially used by him for works in Atomic Physics. In 1998, he went to Università degli Studi di Padova (in Italy) for his Postdoctoral studies, working with materials surfaces and interfaces.

From 2003 to 2008, he was the Director of PUC-Rio’s Physics Department. From 2008 to 2012, he coordinated the field of Physics and Astronomy in the Research Foundation of the State of Rio de Janeiro (FAPERJ). In Europhysics Letters (a journal from the European Physical Society), Professor Lázaro worked as coeditor between 2006 and 2010, and advisory editor from 2010 to 2013. In SBPMat, he served two consecutive terms as president, two as scientific director and one as financial director.

Currently, Fernando Lázaro is a Full Professor in PUC-Rio and director of Centro the Brazilian Center for Research in Physics (CBPF), in addition to being a member of the FAPERJ’s Higher Board and coordinator of the National Institute of Surface Engineering. Author of over 170 scientific articles, with more than 2500 citations, he is a level 1A researcher in the Brazilian National Research Foundation, CNPq. Among his most relevant papers, there are several studies on carbon-based materials: DLC (diamond-like carbon) films, nanotubes and, more recently, graphene.

Following there is a brief interview with the researcher.

SBPMat newsletter: – Tell us a little about your history: what led you to become a scientist and work in the field of Materials?

Fernando Lázaro: – I always enjoyed Physics and Mathematics during high school, but in 1974 I had no ideia, when I applied for college entrance exams, that it was possible to do research in Brazil. Because of this, I took the exam to major in Electrical Engineering in PUC-Rio, and only there I realized that it was possible to perform researches in the field of Physics, in Brazil. Then, I transferred myself to the Bachelor’s in Physics, which was easier, as in 1975 PUC-Rio already had a common Basic Cycle for the whole of its Scientific and Technical Center. So, I didn’t waste any time. I was in my second year in the undergraduate studies. My graduate studies, then, still in PUC-Rio, were in Atomic Physics, using an ion accelerator as a working tool. As such accelerator was also a great tool to analyze materials, it was through this path that I entered into the field of Materials.

SBPMat newsletter- What do you consider as your main contributions to the field of Materials?

Fernando Lázaro: – My research has always been conducted in collaboration with several colleagues and students, and I think we made an important contribution to the study of nanostructured carbon films (diamond-like carbon films, DLC), as attested by the papers with a high number of citations and all the invitations to be invited lecturer in many international congresses. It is evident that supervising students has been important too, as well the management positions in PUC-Rio, CBPF and SBPMat.

SBPMat newsletter: – Choose some of your more highlighted papers, and comment on them, if possible.

Fernando Lázaro: – My most cited paper is an article in Applied Physics Letters, published in 1992, coauthored by Carlos Achete, from COPPE/UFRJ, and Dante Franceschini, currently at UFF, on the nitrogen incorporation in DLC films  [Franceschini, D. F. ; Achete, C. A. ; Freire Junior, F. L. Internal Stress Reduction By Nitrogen Incorporation In Hard a-C:H Thin Films. Applied Physics Letters, New York, v. 60, p. 3229-3231, 1992]. It was released at the right time, and offered a relevant result for the issue of the applications of such materials, namely, the decrease of the internal tension of the film (an important factor in the debonding of films from the substrates), without a significant change in its hardness.

SBPMat newsletter: – In your opinion, what are the main challenges in your current research field for Materials Science and Engineering?

Fernando Lázaro: – I have been working with graphene and carbon nanotubes. For both, the production of good quality samples, in a controlled and profitable form, still represents a great obstacle for the use of those materials in a broader way than the one that has been verified up to this point.

SBPMat newsletter: – Send a message to our readers who are starting their careers as scientists.

Fernando Lázaro – An encouraging message. The material working conditions nowadays are much better than when I started, three decades ago; the same can be said about the wages in academia. So, things have improved and tend to keep getting better, and I think it is feasible to conduct good quality researches, with an international impact, in Brazil.

Featured paper: Changing the properties and morphology of graphene nanoribbons with nitrogen.


The scientific paper by members of the Brazilian community in Materials research featured this month is:

Josue Ortiz-Medina,  M. Luisa García-Betancourt,  Xiaoting Jia,  Rafael Martínez-Gordillo,  Miguel A. Pelagio-Flores,  David Swanson,  Ana Laura Elías,  Humberto R. Gutiérrez,  Eduardo Gracia-Espino,  Vincent Meunier, Jonathan Owens,  Bobby G. Sumpter, Eduardo Cruz-Silva,  Fernando J. Rodríguez-Macías,  Florentino López-Urías,  Emilio Muñoz-Sandoval, Mildred S. Dresselhaus,  Humberto Terrones,  Mauricio Terrones. Nitrogen-Doped Graphitic Nanoribbons: Synthesis, Characterization and Transport. Advanced Functional Materials 2013, 23, 3755-3762. DOI 10.1002/adfm.201202947.

Changing the properties and morphology of graphene nanoribbons with nitrogen

Multiple layers of graphene with the shape of ribbons (narrow and long) are called graphitic nanoribbons. These materials have been studied to control their properties by various methods, such as doping, in which are introduced atoms of “foreign” elements in the graphene carbon lattice.

In a study led by scientists at Pennsylvania State University with the participation of researchers from institutions in the United States, Mexico, Spain and Brazil, nitrogen-doped graphitic nanoribbons were manufactured by the chemical vapor deposition (CVD) method and showed new features, linked with the introduction of nitrogen, such as highest semiconductor performance, promising for applications in electronic devices, chemical reactivity and a very particular morphology on its edges.  The research was published in the journal Advanced Functional Materials.

“This article showed by the first time that it is possible to make doping with nitrogen on the same synthesis by CVD of graphite nanoribbons, and that you can control the level of doping during synthesis,” highlights Fernando Rodríguez-Macías, foreign visiting professor at the Brazilian Federal University of Pernambuco (UFPE) and one of the authors of the scientific paper. A Mexican national, Rodríguez-Macías came to UFPE in 2012, during his sabbatical year to work as a foreign visiting professor in the Department of Fundamental Chemistry and in the Graduate Program in Materials Science of the University. “I have prolonged my stay for another year to continue until 2014 doing collaborative studies for the production of carbon nanostructures, of bionanotechnology and toxicity of nanomaterials,” says the professor. “I am also teaching preparation and characterization of materials,” he adds.

The doped nanoribbons

The article’s authors showed that different concentrations of nitrogen generate controlled changes in material behavior. In particular, scientists have proven that the more nitrogen introduced into the structure of graphene, the most predominant the semiconductor behavior of nanoribbons. As an explanation to this phenomenon, the researchers suggested, based on theoretical calculations, that nitrogen atoms of doped nanoribbons act as scattering centers of electrons and decrease the conductive behavior of undoped graphene. “The control of doping level allows you to change the electrical properties of the nanoribbons, which can be useful for applications in transistors and other electronic devices,” says Rodríguez-Macías.

In addition, the paper also shows that the reactivity of nanoribbons can change with the doping level. Pure graphene, explains UFPE’s visiting professor, is very inert and has limited interactions with many chemical substances; on the other hand, nanoribbons doped with nitrogen are more reactive, which makes them useful for applications in sensors and catalysis.

As to the morphology, the article’s authors found that the nitrogen-doped nanoribbons have loops on their edges, uniting different graphene sheets. “This morphology is not presented by undoped graphite nanoribbons,” says Rodríguez-Macías.

This figure, sent by Professor Fernando Rodríguez-Macías, shows the nitrogen-doped graphitic nanoribbons in three scales. The scanning electron microscopy (top left corner) shows how these ribbons are made up of several layers and feature a curved surface with roughness. The transmission electronic microscopy (bottom left corner) shows that the nanoribbon layers are graphene sheets. The high resolution transmission electronic microscopy (right) shows that the layers of graphene on the nanoribbons edges form loops uniting different graphene sheets.

Collaborators

Almost all work of materials synthesis of the paper of Advanced Functional Materials was developed at Pennsylvania State University; the characterization was done in collaboration with other researchers and laboratories, reports UFPE’s visiting professor.

The participation of UFPE in the article happened through the doctoral student Miguel Angel Pelagio-Flores in the analysis and theoretical modeling of doped nanoribbons, and through professor Fernández-Macías himself, who, in addition to having participated in the discussion of results and review of the article from his office at UFPE, was doctoral advisor of the first author of the article, Josué Ortiz-Medina, while professor of a Mexican institution, IPICYT. “Ortiz-Medina did most of the experimental work of the article, besides being an important part of the characterization and theoretical studies of these new nanomaterials, when he was in exchange at Penn State in the laboratory of professor Terrones,” contextualizes the professor.

In total, 19 authors sign the article, among them MIT’s Professor Mildred Dresselhaus, reference in carbon science.

Artigo em destaque. Espalhamento de elétrons e buracos em grafeno: efeito do oxigênio evidenciado.


O artigo científico de membros da comunidade brasileira de pesquisa em Materiais em destaque neste mês é:

Ive Silvestre, Evandro A. de Morais, Angelica O. Melo, Leonardo C. Campos, Alem-Mar B. Goncalves, Alisson R. Cadore, Andre S. Ferlauto, Helio Chacham, Mario S. C. Mazzoni, and Rodrigo G. Lacerda. Asymmetric Effect of Oxygen Adsorption on Electron and Hole Mobilities in Bilayer Graphene: Long- and Short-Range Scattering Mechanisms. ACS Nano, 2013, 7 (8), pp 6597–6604. DOI: 10.1021/nn402653b.

Texto de divulgação

Espalhamento de elétrons e buracos em grafeno: efeito do oxigênio evidenciado

Um trabalho sobre propriedades eletrônicas do grafeno totalmente desenvolvido no Brasil com a participação de dez pesquisadores brasileiros rendeu um artigo publicado na prestigiosa revista ACS Nano.

A equipe investigou a mobilidade de portadores de carga no grafeno bicamada. No grafeno, o movimento tanto dos elétrons quanto dos “buracos” (partículas conceituais de carga positiva que equivalem à ausência de elétrons na rede cristalina) podem gerar correntes elétricas no material. Porém, a mobilidade de elétrons e buracos pode ser afetada pela existência de centros espalhadores de cargas. “O entendimento dos mecanismos de espalhamento de cargas no transporte elétrico do grafeno é fundamental para uma melhor otimização e eficiência dos dispositivos eletrônicos baseados neste material”, contextualiza Rodrigo Lacerda, professor do Departamento de Física da Universidade Federal de Minas Gerais e último autor do artigo. “Nesse contexto, a principal contribuição do nosso trabalho está relacionada à identificação simultânea de dois diferentes tipos de centros espalhadores de cargas que afetam o transporte elétrico em uma bicamada de grafeno”, precisa o professor.

Visando aplicar o grafeno em sensores de oxigênio, os pesquisadores decidiram investigar o efeito desse gás na mobilidade dos portadores de carga do grafeno bicamada. “Atualmente, existe uma grande demanda da indústria automotiva e na área biomédica por sensores de oxigênio que trabalhem em condições de temperatura ambiente e baixa potência”’, conta Lacerda. O grafeno, de acordo com o professor, possui um grande potencial para o desenvolvimento de uma nova classe de sensores rápidos, seletivos e ultrassensíveis.

O trabalho foi desenvolvido dentro da pesquisa de doutorado da estudante Ive Silvestre, orientada por Lacerda, e em conjunto com o doutor Evandro Morais, ambos primeiros autores do artigo. A tese da estudante foi defendida no início de novembro no Departamento de Física da UFMG. “Apesar de ainda termos carência em infraestrutura, nosso departamento é um dos líderes de pesquisa em nanomateriais de carbono, sendo, nos últimos anos, o centro coordenador de várias redes de pesquisa, como o INCT de Nanomateriais de Carbono coordenado pelo professor Marcos Pimenta”, diz o professor. “Graças a estas iniciativas, obtivemos as condições mínimas experimentais para a realização do trabalho”, completa.

Para realizar os experimentos, foi fabricado um dispositivo consistente em duas camadas de grafeno depositadas num substrato de óxido de silício. O dispositivo foi colocado numa câmara de testes na qual foram realizadas as medidas elétricas in situ a diversas temperaturas enquanto se introduzia e retirava o fluxo de oxigênio.

A figura acima mostra a mudança na mobilidade dos elétrons e dos buracos em função da interação da bicamada de grafeno com as moléculas de oxigêno. Inset: Dispositivo de bicamada de grafeno sob exposição de moléculas de oxigênio.

Os pesquisadores observaram que, num efeito de caráter reversível, o oxigênio reduzia significativamente a mobilidade dos elétrons enquanto aumentava a dos buracos. Buscando o aprofundamento na compreensão dos resultados experimentais, o grupo experimental da UFMG desenvolveu uma intensa colaboração com um grupo teórico do mesmo departamento e universidade, liderado pelos professores Mário Sérgio Mazzoni e Hélio Chacham. “Inúmeras discussões produtivas conjugadas à intensa verificação da literatura nos levaram ao entendimento mais profundo do problema, possibilitando a conclusão deste bonito trabalho”, relata Lacerda.

O trabalho faz uma contribuição importante ao tema da mobilidade de cargas no grafeno ao identificar a ação simultânea de dois tipos de centros espalhadores de cargas, os de longo alcance e os de curto alcance, sendo estes últimos de tipo ressonante. “Anteriormente ao nosso trabalho, não havia sido reportada experimentalmente na literatura uma evidência tão marcante da presença de centros ressonantes em grafeno (e bicamadas)”, destaca o professor Lacerda.

Quanto ao oxigênio, ele desempenha dois papeis fundamentais nos mecanismos de espalhamento descritos no artigo da ACS Nano. Por um lado, o oxigênio preso entre o grafeno e o óxido de silício age como barreira à ação de imperfeições do substrato que atuariam como centros de espalhamento de longo alcance e acaba aumentando a mobilidade dos buracos. Por outro lado, moléculas de oxigênio adsorvidas pelo grafeno exercem o papel de centros espalhadores ressonantes, os quais reduzem a mobilidade dos elétrons. “A assimetria que notamos para a mobilidade dos portadores na bicamada exposta às moléculas de oxigênio foi sem dúvida um aspecto relevante”, diz Lacerda. “Até então, as observações de que moléculas adsorvidas (provenientes de uma fonte externa como um gás) podiam exercer um papel de centros espalhadores do tipo ressonante era apenas prevista teoricamente”, conclui.

 

 

Oportunidade de pós-doutorado no MackGrafe em guias de onda acoplados a grafeno.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de guias de onda para aplicações fotônicas de grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com
uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar. Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente no presente projeto de pós-doutoramento, visa-se a projetar, simular numericamente, produzir e testar guias de onda com alto campo evanescente, de forma a excitar camadas de grafeno depositadas sobre os guias. Fibras ópticas (comercialmente obtidas) e guias de onda planares (a serem fabricados por fotopolimerização de 2 fótons) serão estudados. Desta forma, conhecimentos prévios de guias de onda (no visível, infravermelho próximo e infravermelho médio), microfabricação, simulação numérica e óptica não-linear são desejáveis.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos para o e-mail cjsdematos@mackenzie.br até 20 de junho: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito.

Oportunidade de pós-doutorado no MackGrafe em grafeno em lasers Raman com bolsa FAPESP.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de fotônica em grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar. Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente no presente projeto de pós-doutoramento, visa-se a construção e caracterização de uma família de cavidades lasers em fibra baseadas no efeito Raman para geração de pulsos ultracurtos utilizando absorvedores saturáveis baseados em grafeno cobrindo as diversas bandas de transmissão das comunicações ópticas. Explorando as características de ganho não ressonante do espalhamento Raman e as propriedades intrínsecas do carbono, é possível construir um laser operando em regime de acoplamento passivo de modos (mode-locking) em qualquer banda de transmissão. Ao longo do projeto, o bolsista deverá dominar técnicas de processamento de grafeno, assim como métodos
computacionais e experimentais de caracterização dos sistemas.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos até 15 de junho para o e-mail thoroh@mackenzie.br: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito.

Oportunidade de pós-doutorado no MackGrafe em grafeno em laser multifuncional com bolsa FAPESP.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de fotônica em grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar. Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente este projeto propõe explorar as multifuncionalidades do laser a fibra dopada com Érbio com múltiplos regimes de operação simultâneos pela inserção de filtros espectrais na cavidade. Os filtros permitem a operação simultânea de vários comprimentos de onda, operando a taxas que podem ser moduladas de forma independente. Ao longo do projeto, o bolsista deverá dominar técnicas de processamento de grafeno, assim como métodos computacionais e experimentais de caracterização dos sistemas.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos até 15 de junho para o e-mail thoroh@mackenzie.br: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito.

Oportunidade: mestrado e doutorado na área de aplicações fotônicas de grafeno e nanomateriais.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) anuncia que estão abertas (até dia 21/05) as inscrições para mestrado e doutorado na área de aplicações fotônicas, optoeletrônicas e plasmônicas de grafeno e nanomateriais, vinculada ao Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica (PPGEE) da Universidade Presbiteriana Mackenzie.

Inscrições: até 21/05 para início no segundo semestre de 2013.

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma integrada e complementar.

Mais informações sobre o processo seletivo:
http://www.mackenzie.br/fileadmin/Decanato_Pesquisa_Pos/2013/index.html

Oportunidade de pós-doutorado com bolsa FAPESP em plasmônica em grafeno – síntese, caracterização, e ordenação de nanoestruturas metálicas sobre grafeno.


Data limite para inscrições: 15/06/2013

O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de plasmônica em grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar.

Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente no presente projeto de pós-doutoramento, visa-se a excitar modos plasmônicos em grafeno e em sistemas híbridos grafeno-nanopartículas metálicas. Ao longo do projeto, o bolsista deverá dominar técnicas de síntese química de nanopartículas metálicas e técnicas de processamento de grafeno, assim como métodos computacionais e experimentais de caracterização destas estruturas. Desta forma, conhecimentos prévios de   plasmônica, síntese química, litografia e espectroscopia são desejáveis.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e
recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos para o e-mail cjsdematos@mackenzie.br: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito. Mais informações:
http://www.fapesp.br/oportunidades/437.