Artigo em destaque: Folhas de grafeno gravadas com íons de hélio.


O artigo científico com participação de membros da comunidade brasileira de pesquisa em Materiais em destaque neste mês é:

Archanjo, B.S.; Fragneaud, B.; Cancado, L.G.; Winston, D.; Miao, F.; Achete, C.A.; Medeiros-Ribeiro, G. Graphene nanoribbon superlattices fabricated via He ion lithography. Appl. Phys. Lett. 104, 193114 (2014); http://dx.doi.org/10.1063/1.4878407.

Artigo de divulgação

Folhas de grafeno gravadas com íons de hélio

Em um trabalho coordenado por pesquisadores do Brasil e recentemente publicado na Applied Physics Letters (APL), cientistas gravaram, em cima de folhas de grafeno, padrões periódicos de tamanho nano, utilizando um método novo para essa aplicação, a litografia por feixe de íons de hélio focalizados.

A equipe de cientistas envolvida no trabalho se valeu de um microscópio HIM, do inglês helium ion microscope, para bombardear o grafeno com esses íons e, dessa maneira, gravar linhas paralelas de 1mm de comprimento e apenas 5 nm de largura, definindo, entre elas, fitas de 20 nm de largura (nanofitas).

Além de ser rápido e simples, o método se revelou muito preciso: gerou defeitos pontuais menores do que outras técnicas similares e preservou significativamente a estrutura atómica das nanofitas definidas.

O novo método amplia as possibilidades de aplicação do grafeno, que, vale lembrar, é um material plano (de apenas um átomo de altura) formado por átomos de carbono densamente compactados, e que se destaca por poder ser utilizado em escala nano e por sua altíssima resistência, ótima condução da eletricidade e do calor, transparência e flexibilidade, entre outras propriedades.

“A escrita direta em grafeno, utilizando o feixe de íons focalizados, permite a fabricação rápida de diferentes dipositivos”, diz Braulio Archanjo, pesquisador do Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia (Inmetro) e primeiro autor do artigo da APL. Como exemplo, Archanjo cita a possibilidade de fabricar em grafeno puro, num futuro próximo, as chamadas “junções PN”, estruturas atualmente fabricadas basicamente em silício, as quais compõem dispositivos semicondutores, como díodos e transistores, amplamente usados na produção de eletrônicos.

Imagem topográfica (em 3 dimensões) da superfície do grafeno sobre SiO2, coletada em um microscópio de força atômica.

A história do trabalho

No contexto de trabalhos sobre metrologia do grafeno realizados nos últimos anos no Inmetro, relata Archanjo, surgiu a ideia de se fabricar, de maneira controlada, padrões periódicos de “defeitos”, como as linhas paralelas do trabalho da APL. Em 2012, uma equipe do Inmetro, em colaboração com pesquisadores da Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG), publicou um trabalho sobre padrões periódicos gravados em grafeno utilizando um feixe de íons de gálio por meio de um equipamento de FIB, do inglês focused ion beam.

Posteriormente, em uma reunião de Archanjo com os professores Carlos Achete, ligado à Universidade Federal do Rio de Janerio (UFRJ) e ao Inmetro, e Gilberto Medeiros, ligado à UFMG e ao laboratório de pesquisa e desenvolvimento da Hewlett-Packard (HP Labs), foi planejado um segundo trabalho em que se usaria, em vez do equipamento de FIB, um HIM, cuja resolução é até dez vezes superior, mas que não existe ainda em território brasileiro.

Então, Archanjo passou três semanas no Vale do Silício, nos Estados Unidos, utilizando o HIM do HP Labs para fazer litografia em amostras de grafeno produzidas no Inmetro. “Juntamos a expertise que temos aqui a respeito de defeitos em grafeno, com a expertise dos pesquisadores do HP Labs em utilizar um microscópio de feixe de íons de hélio focalizado”, resume o pesquisador do Inmetro.

Quando ele voltou ao Brasil com várias amostras de grafeno com padrões periódicos gravados, a equipe deu início ao estudo dessas amostras por microscopia de força atômica e espectroscopia Raman, desenvolvido no próprio Inmetro. “Esta etapa do trabalho foi realizada juntamente com os professores Benjamin Fragneaud, da Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF) e Luiz Gustavo Cançado, da UFMG”, conta Archanjo.

HIM: proximamente no Brasil

No primeiro semestre de 2015, anuncia Archanjo, o Brasil deve ter seu primeiro microscópio de íons de hélio. “A experiência que ganhamos realizando o estudo no HP Labs nos permitirá instalá-lo e utilizá-lo”, diz o pesquisador. O equipamento estará disponível para os pesquisadores brasileiros interessados em utilizá-lo dentro do Núcleo de Laboratórios Multiusuário de Microscopia do Inmetro.

Gente da nossa comunidade: entrevista com Fernando Lázaro Freire Junior.


O professor Fernando Lázaro Freire Júnior.

No dia 6 de maio, na Escola Naval do Rio de Janeiro, a Academia Brasileira de Ciências (ABC) realizou a cerimônia de posse de seus novos membros, eleitos em um processo de indicação e avaliação por pares realizado ao longo de 2013. Na oportunidade, 24 cientistas foram empossados como membros titulares da ABC. Entre eles, na área de Ciências Físicas, estava o professor Fernando Lázaro de Freire Junior, pesquisador da área de Materiais e ex-presidente da SBPMat.

Tendo em mente a ideia de ser pesquisador, Fernando Lázaro optou, na graduação, pelo Bacharelado em Física na Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-Rio), formando-se em 1978.  Em 1979 começou a lecionar nessa universidade enquanto fazia, na mesma instituição, o mestrado (1979-1981) e o doutorado (1981-1985) em Física. Nesse período da pós-graduação, Fernando Lázaro fez suas primeiras intervenções científicas na área de Materiais por meio de um acelerador de íons, inicialmente utilizado por ele para trabalhos de Física Atômica.  Em 1998 foi à Università degli Studi di Padova (Itália) para fazer pós-doutorado, trabalhando com superfícies e interfaces de materiais.

De 2003 a 2008 foi Diretor do Departamento de Física da PUC-Rio. De 2008 a 2012 coordenou a Área de Física e Astronomia da Fundação Carlos Chagas Filho de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio de Janeiro (FAPERJ). Na Europhysics Letters (publicação da Sociedade Europeia de Física), foi coeditor entre 2006 e 2010 e advisory editor de 2010 a 2013. Na SBPMat, cumpriu dois mandatos consecutivos como presidente,  dois como diretor científico e um como diretor financeiro.

Atualmente, Fernando Lázaro é professor titular da PUC-Rio e diretor do Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas (CBPF), além de membro do Conselho Superior da FAPERJ e coordenador do INCT de Engenharia de Superfícies. Autor de mais de 170 artigos científicos com mais de 2.500 citações, é bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq – nível 1 A. Entre seus trabalhos mais relevantes, constam vários estudos sobre materiais baseados em carbono: filmes de DLC (diamond-like carbon), nanotubos e, mais recentemente, grafeno.

Segue uma breve entrevista com o pesquisador.

Boletim da SBPMat: – Conte-nos um pouco sobre sua história: o que o levou a se tornar um cientista e a trabalhar na área de Materiais?

Fernando Lázaro Freire Jr.:  – Eu sempre gostei de Física e Matemática quando estudante do ensino médio, mas não tinha ideia em 1974, quando fiz a inscrição para o vestibular, que era possível fazer pesquisa no Brasil. Por isso fiz vestibular para Engenharia Elétrica na PUC-Rio e lá tomei conhecimento de que era possível fazer pesquisa em Física no Brasil. Fiz minha transferência para o curso de bacharelado em Física, facilitado porque em 1975 a PUC-Rio já tinha um Ciclo Básico comum a todo o Centro Técnico Científico. Com isso eu não perdi tempo. Estava no segundo ano de graduação. Minha pós-graduação, também na PUC-Rio, foi em Física Atômica, utilizando um acelerador de íons como ferramenta de trabalho. Como esse acelerador é também uma excelente ferramenta para análise de materiais, foi por esse caminho que entrei na área de Materiais.

Boletim da SBPMat: – Quais são, na sua própria avaliação, as suas principais contribuições à área de Materiais?

Fernando Lázaro Freire Jr.:  – A minha pesquisa sempre foi feita em colaboração com vários colegas e estudantes e acho que demos uma contribuição importante no estudo de filmes de carbono nanoestruturado (Diamond-like carbon films, DLC), como atestam as publicações com elevado número de citações e convites para palestras convidadas em vários congressos internacionais. Lógico que formar estudantes também tem sido importante, bem como a atuação na área de gestão, na PUC-Rio, CBPF e SBPMat.

Boletim da SBPMat: – Escolha algumas de suas publicações mais destacadas e, se possível, comente-as.

Fernando Lázaro Freire Jr.:  – O meu trabalho mais citado é um artigo na Applied Physics Letters em 1992 em coautoria com o Carlos Achete da COPPE/UFRJ e o Dante Franceschini, hoje na UFF, sobre a incorporação de nitrogênio em filmes DLC [Franceschini, D. F. ; Achete, C. A. ; Freire Junior, F. L. Internal Stress Reduction By Nitrogen Incorporation In Hard a-C:H Thin Films. Applied Physics Letters, New York, v. 60, p. 3229-3231, 1992]. Foi publicado na hora certa e tinha um resultado relevante para as aplicações desse material que era a redução da tensão interna do filme (fator importante no descolamento dos filmes dos substratos) sem significativa mudança em sua dureza.

Boletim da SBPMat: – Quais são, na sua opinião, os principais desafios da sua área de pesquisa atual para a Ciência e Engenharia de Materiais?

Fernando Lázaro Freire Jr.:  – Eu tenho trabalhado com nanotubos de carbono e grafeno. Para ambos a produção de amostras de boa qualidade de modo controlado e economicamente viável ainda é um grande obstáculo para a utilização desses materiais de modo mais amplo do que o que é verificado até o momento.

Boletim da SBPMat: – Deixe uma mensagem para nossos leitores que estão iniciando suas carreiras de cientistas.

Fernando Lázaro Freire Jr.:  – Uma mensagem de estímulo. As condições materiais de trabalho hoje estão muito melhores de quando eu comecei três décadas atrás, o mesmo vale para os salários na academia. Portanto as coisas melhoraram e tendem a continuar melhorando e eu acho viável fazer pesquisa de boa qualidade e de impacto internacional no Brasil.

Artigo em destaque: Mudando as propriedades e a morfologia de nanofitas de grafeno com nitrogênio.


O artigo científico de membros da comunidade brasileira de pesquisa em Materiais em destaque neste mês é:

Josue Ortiz-Medina, M. Luisa García-Betancourt, Xiaoting Jia, Rafael Martínez-Gordillo, Miguel A. Pelagio-Flores, David Swanson, Ana Laura Elías, Humberto R. Gutiérrez, Eduardo Gracia-Espino, Vincent Meunier, Jonathan Owens, Bobby G. Sumpter, Eduardo Cruz-Silva, Fernando J. Rodríguez-Macías, Florentino López-Urías, Emilio Muñoz-Sandoval, Mildred S. Dresselhaus, Humberto Terrones, Mauricio Terrones. Nitrogen-Doped Graphitic Nanoribbons: Synthesis, Characterization, and Transport. Advanced Functional Materials 2013, 23, 3755-3762. DOI: 10.1002/adfm.201202947

Texto de divulgação:

Mudando as propriedades e a morfologia de nanofitas de grafeno com nitrogênio

Várias camadas de grafeno com forma de fitas (estreitas e compridas) são chamadas de nanofitas grafíticas. Esses materiais têm sido objeto de estudos para controlar suas propriedades por diversos métodos, como por exemplo a dopagem, na qual se introduzem, na rede de carbono que forma o grafeno, átomos de elementos “estrangeiros”.

Em um trabalho liderado por cientistas da Pennsylvania State University com a participação de pesquisadores de instituições dos Estados Unidos, México, Espanha e Brasil, nanofitas grafíticas dopadas com nitrogênio foram fabricadas pelo método de deposição química de vapor (CVD) e mostraram características novas, ligadas à introdução do nitrogênio: maior comportamento semicondutor, promissor para aplicações em dispositivos eletrônicos, reatividade química e uma morfologia muito particular em suas bordas. A pesquisa foi publicada na prestigiada Advanced Functional Materials.

“Este artigo mostrou pela primeira vez que é possível fazer dopagem com nitrogênio na mesma síntese por CDV das nanofitas de grafite, e que é possível controlar o nível de dopagem durante a síntese”, destaca Fernando Rodríguez-Macías, professor visitante estrangeiro na Universidade Federal de Pernambuco (UFPE) e um dos autores do artigo científico. De nacionalidade mexicana, Rodríguez-Macías chegou à UFPE em 2012, durante seu ano sabático, para trabalhar como professor visitante estrangeiro no Departamento de Química Fundamental e no Programa de Pós-graduação em Ciência de Materiais da universidade, com apoio da Rede Nanobiotec-Brasil da CAPES. “Prolonguei a minha estada por mais um ano, para continuar até 2014 fazendo colaboração em estudos de produção de nanoestruturas de carbono, de bionanotecnologia e de toxicidade de nanomateriais”, diz o professor. “Também estou dando aulas de preparação e caracterização de materiais”, completa.

As nanofitas dopadas

Os autores do artigo mostraram que diferentes concentrações de nitrogênio geram mudanças controladas no comportamento do material. Particularmente, os cientistas provaram que, quanto mais nitrogênio introduzido na estrutura do grafeno, mais predominante o comportamento semicondutor das nanofitas. Como explicação a esse fenômeno, os pesquisadores sugeriram, com base em cálculos teóricos, que os átomos de nitrogênio das nanofitas dopadas agem como centros espalhadores de elétrons e acabam diminuindo o comportamento condutor do grafeno não dopado. “O controle do nível de dopagem permite mudar as propriedades elétricas das nanofitas, o que pode ser útil para aplicações em transistores e outros dispositivos eletrônicos”, diz Rodríguez-Macías.

Além disso, o artigo mostra que também a reatividade das nanofitas pode mudar com o nível de dopagem. O grafeno puro, explica o professor visitante da UFPE, é muito inerte e tem interações limitadas com muitas substancias químicas; já as nanofitas dopadas com nitrogênio são mais reativas, o que as torna mais úteis para aplicações em sensores e em catálise.

Quanto à morfologia, os autores do artigo observaram que as nanofitas dopadas com nitrogênio apresentam laços em suas bordas, unindo diferentes folhas de grafeno. “Esta morfologia não é apresentada por nanofitas de grafite não dopadas”, afirma Rodríguez-Macías.

Esta figura, enviada pelo professor Fernando Rodríguez-Macías, mostra as nanofitas grafíticas dopadas com nitrogênio em três escalas. A microscopia eletrônica de varredura (canto superior esquerdo) mostra como estas fitas estão formadas por várias camadas e apresentam uma superfície curva e com rugosidade. A microscopia eletrônica de transmissão (canto inferior esquerdo) mostra que as camadas da nanofita são folhas de grafeno. A microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução (direita) mostra que as camadas de grafeno nas bordas das nanofitas formam laços unindo diferentes folhas de grafeno.

As colaborações

Quase todo o trabalho de síntese de materiais do artigo da Advanced Functional Materials foi desenvolvido na Pennsylvania State University; já a caracterização foi feita em colaboração com outros pesquisadores e laboratórios, relata o professor visitante da UFPE.
A participação da UFPE no artigo ocorreu por meio do estudante de doutorado Miguel Angel Pelagio-Flores, do Programa de Pós-Graduação em Química, na análise e modelagem teórica das nanofitas dopadas, e através do próprio professor Fernández-Macías, que, além de ter participado da discussão de resultados e revisão do artigo desde sua sala na UFPE, foi orientador de doutorado do primeiro autor do artigo, Josué Ortiz-Medina, enquanto professor de uma instituição mexicana, o IPICYT. “Ele fez a maior parte do trabalho experimental do artigo, além de parte importante da caracterização e os estudos teóricos destes novos nanomateriais, quando ele esteve em intercambio em Penn State no laboratório do professor Terrones”, contextualiza o professor.

No total, 19 autores assinam o artigo; entre eles, a professora do MIT Mildred Dresselhaus, referência em ciência do carbono.

Artigo em destaque. Espalhamento de elétrons e buracos em grafeno: efeito do oxigênio evidenciado.


O artigo científico de membros da comunidade brasileira de pesquisa em Materiais em destaque neste mês é:

Ive Silvestre, Evandro A. de Morais, Angelica O. Melo, Leonardo C. Campos, Alem-Mar B. Goncalves, Alisson R. Cadore, Andre S. Ferlauto, Helio Chacham, Mario S. C. Mazzoni, and Rodrigo G. Lacerda. Asymmetric Effect of Oxygen Adsorption on Electron and Hole Mobilities in Bilayer Graphene: Long- and Short-Range Scattering Mechanisms. ACS Nano, 2013, 7 (8), pp 6597–6604. DOI: 10.1021/nn402653b.

Texto de divulgação

Espalhamento de elétrons e buracos em grafeno: efeito do oxigênio evidenciado

Um trabalho sobre propriedades eletrônicas do grafeno totalmente desenvolvido no Brasil com a participação de dez pesquisadores brasileiros rendeu um artigo publicado na prestigiosa revista ACS Nano.

A equipe investigou a mobilidade de portadores de carga no grafeno bicamada. No grafeno, o movimento tanto dos elétrons quanto dos “buracos” (partículas conceituais de carga positiva que equivalem à ausência de elétrons na rede cristalina) podem gerar correntes elétricas no material. Porém, a mobilidade de elétrons e buracos pode ser afetada pela existência de centros espalhadores de cargas. “O entendimento dos mecanismos de espalhamento de cargas no transporte elétrico do grafeno é fundamental para uma melhor otimização e eficiência dos dispositivos eletrônicos baseados neste material”, contextualiza Rodrigo Lacerda, professor do Departamento de Física da Universidade Federal de Minas Gerais e último autor do artigo. “Nesse contexto, a principal contribuição do nosso trabalho está relacionada à identificação simultânea de dois diferentes tipos de centros espalhadores de cargas que afetam o transporte elétrico em uma bicamada de grafeno”, precisa o professor.

Visando aplicar o grafeno em sensores de oxigênio, os pesquisadores decidiram investigar o efeito desse gás na mobilidade dos portadores de carga do grafeno bicamada. “Atualmente, existe uma grande demanda da indústria automotiva e na área biomédica por sensores de oxigênio que trabalhem em condições de temperatura ambiente e baixa potência”’, conta Lacerda. O grafeno, de acordo com o professor, possui um grande potencial para o desenvolvimento de uma nova classe de sensores rápidos, seletivos e ultrassensíveis.

O trabalho foi desenvolvido dentro da pesquisa de doutorado da estudante Ive Silvestre, orientada por Lacerda, e em conjunto com o doutor Evandro Morais, ambos primeiros autores do artigo. A tese da estudante foi defendida no início de novembro no Departamento de Física da UFMG. “Apesar de ainda termos carência em infraestrutura, nosso departamento é um dos líderes de pesquisa em nanomateriais de carbono, sendo, nos últimos anos, o centro coordenador de várias redes de pesquisa, como o INCT de Nanomateriais de Carbono coordenado pelo professor Marcos Pimenta”, diz o professor. “Graças a estas iniciativas, obtivemos as condições mínimas experimentais para a realização do trabalho”, completa.

Para realizar os experimentos, foi fabricado um dispositivo consistente em duas camadas de grafeno depositadas num substrato de óxido de silício. O dispositivo foi colocado numa câmara de testes na qual foram realizadas as medidas elétricas in situ a diversas temperaturas enquanto se introduzia e retirava o fluxo de oxigênio.

A figura acima mostra a mudança na mobilidade dos elétrons e dos buracos em função da interação da bicamada de grafeno com as moléculas de oxigêno. Inset: Dispositivo de bicamada de grafeno sob exposição de moléculas de oxigênio.

Os pesquisadores observaram que, num efeito de caráter reversível, o oxigênio reduzia significativamente a mobilidade dos elétrons enquanto aumentava a dos buracos. Buscando o aprofundamento na compreensão dos resultados experimentais, o grupo experimental da UFMG desenvolveu uma intensa colaboração com um grupo teórico do mesmo departamento e universidade, liderado pelos professores Mário Sérgio Mazzoni e Hélio Chacham. “Inúmeras discussões produtivas conjugadas à intensa verificação da literatura nos levaram ao entendimento mais profundo do problema, possibilitando a conclusão deste bonito trabalho”, relata Lacerda.

O trabalho faz uma contribuição importante ao tema da mobilidade de cargas no grafeno ao identificar a ação simultânea de dois tipos de centros espalhadores de cargas, os de longo alcance e os de curto alcance, sendo estes últimos de tipo ressonante. “Anteriormente ao nosso trabalho, não havia sido reportada experimentalmente na literatura uma evidência tão marcante da presença de centros ressonantes em grafeno (e bicamadas)”, destaca o professor Lacerda.

Quanto ao oxigênio, ele desempenha dois papeis fundamentais nos mecanismos de espalhamento descritos no artigo da ACS Nano. Por um lado, o oxigênio preso entre o grafeno e o óxido de silício age como barreira à ação de imperfeições do substrato que atuariam como centros de espalhamento de longo alcance e acaba aumentando a mobilidade dos buracos. Por outro lado, moléculas de oxigênio adsorvidas pelo grafeno exercem o papel de centros espalhadores ressonantes, os quais reduzem a mobilidade dos elétrons. “A assimetria que notamos para a mobilidade dos portadores na bicamada exposta às moléculas de oxigênio foi sem dúvida um aspecto relevante”, diz Lacerda. “Até então, as observações de que moléculas adsorvidas (provenientes de uma fonte externa como um gás) podiam exercer um papel de centros espalhadores do tipo ressonante era apenas prevista teoricamente”, conclui.

 

 

Oportunidade de pós-doutorado no MackGrafe em guias de onda acoplados a grafeno.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de guias de onda para aplicações fotônicas de grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com
uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar. Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente no presente projeto de pós-doutoramento, visa-se a projetar, simular numericamente, produzir e testar guias de onda com alto campo evanescente, de forma a excitar camadas de grafeno depositadas sobre os guias. Fibras ópticas (comercialmente obtidas) e guias de onda planares (a serem fabricados por fotopolimerização de 2 fótons) serão estudados. Desta forma, conhecimentos prévios de guias de onda (no visível, infravermelho próximo e infravermelho médio), microfabricação, simulação numérica e óptica não-linear são desejáveis.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos para o e-mail cjsdematos@mackenzie.br até 20 de junho: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito.

Oportunidade de pós-doutorado no MackGrafe em grafeno em lasers Raman com bolsa FAPESP.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de fotônica em grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar. Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente no presente projeto de pós-doutoramento, visa-se a construção e caracterização de uma família de cavidades lasers em fibra baseadas no efeito Raman para geração de pulsos ultracurtos utilizando absorvedores saturáveis baseados em grafeno cobrindo as diversas bandas de transmissão das comunicações ópticas. Explorando as características de ganho não ressonante do espalhamento Raman e as propriedades intrínsecas do carbono, é possível construir um laser operando em regime de acoplamento passivo de modos (mode-locking) em qualquer banda de transmissão. Ao longo do projeto, o bolsista deverá dominar técnicas de processamento de grafeno, assim como métodos
computacionais e experimentais de caracterização dos sistemas.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos até 15 de junho para o e-mail thoroh@mackenzie.br: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito.

Oportunidade de pós-doutorado no MackGrafe em grafeno em laser multifuncional com bolsa FAPESP.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de fotônica em grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar. Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente este projeto propõe explorar as multifuncionalidades do laser a fibra dopada com Érbio com múltiplos regimes de operação simultâneos pela inserção de filtros espectrais na cavidade. Os filtros permitem a operação simultânea de vários comprimentos de onda, operando a taxas que podem ser moduladas de forma independente. Ao longo do projeto, o bolsista deverá dominar técnicas de processamento de grafeno, assim como métodos computacionais e experimentais de caracterização dos sistemas.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos até 15 de junho para o e-mail thoroh@mackenzie.br: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito.

Oportunidade: mestrado e doutorado na área de aplicações fotônicas de grafeno e nanomateriais.


O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) anuncia que estão abertas (até dia 21/05) as inscrições para mestrado e doutorado na área de aplicações fotônicas, optoeletrônicas e plasmônicas de grafeno e nanomateriais, vinculada ao Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica (PPGEE) da Universidade Presbiteriana Mackenzie.

Inscrições: até 21/05 para início no segundo semestre de 2013.

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma integrada e complementar.

Mais informações sobre o processo seletivo:
http://www.mackenzie.br/fileadmin/Decanato_Pesquisa_Pos/2013/index.html

Oportunidade de pós-doutorado com bolsa FAPESP em plasmônica em grafeno – síntese, caracterização, e ordenação de nanoestruturas metálicas sobre grafeno.


Data limite para inscrições: 15/06/2013

O Centro Mackenzie de Pesquisas Avançadas em Grafeno e Nanomateriais (MackGrafe) convida os interessados a se candidatarem a uma bolsa de pós-doutoramento na área de plasmônica em grafeno, ligada a projeto de pesquisa FAPESP (programa SPEC).

O MackGrafe iniciou suas atividades em 2012 e tem um financiamento inicial de cerca de R$ 30 milhões, que inclui a construção de um novo prédio e a aquisição equipamentos de estado-da-arte para fabricação e caracterização de amostras e dispositivos de grafeno. O Centro visa a desenvolver pesquisa de nível mundial em grafeno e nanomateriais, com uma abordagem de engenharia aplicada e foco em dispositivos fotônicos, optoeletrônicos e plasmônicos. O MackGrafe é um centro “irmão” do Graphene Research Centre da National University of Singapore (GC-NUS), trabalhando de forma complementar.

Espera-se que os pesquisadores façam visitas de intercâmbio periódicas entre os centros.

Especificamente no presente projeto de pós-doutoramento, visa-se a excitar modos plasmônicos em grafeno e em sistemas híbridos grafeno-nanopartículas metálicas. Ao longo do projeto, o bolsista deverá dominar técnicas de síntese química de nanopartículas metálicas e técnicas de processamento de grafeno, assim como métodos computacionais e experimentais de caracterização destas estruturas. Desta forma, conhecimentos prévios de   plasmônica, síntese química, litografia e espectroscopia são desejáveis.

As exigências e os benefícios estabelecidos em http://fapesp.br/bolsas/pd se aplicam. Entre os benefícios incluem-se: remuneração de R$ 5.908,80 por mês, auxílio deslocamento e/ou instalação (para bolsistas que não residam na cidade de São Paulo) e
recursos de reserva técnica para custear viagens e outros itens necessários para a pesquisa. A bolsa será concedida por um período de 24 meses.

Os interessados deverão encaminhar os seguintes documentos para o e-mail cjsdematos@mackenzie.br: (i) Curriculum Vitae (incluindo lista de publicações); (ii) uma carta indicando o nome do projeto de bolsa para o qual quer se candidatar e explicitando os motivos de interesse por este; e (iii) o nome e contato de dois doutores capazes de elaborar carta de recomendação a seu respeito. Mais informações:
http://www.fapesp.br/oportunidades/437.