Artigo em destaque: Pontos quânticos com regras únicas.

O artigo científico com participação (liderança) de membros da comunidade brasileira de pesquisa em Materiais em destaque neste mês é: Evidence of Band-Edge Hole Levels Inversion in Spherical CuInS2 Quantum Dots. Gabriel Nagamine, Henrique B. Nunciaroni, Hunter McDaniel, Alexander L. Efros, Carlos H. de Brito Cruz, and Lazaro A. Padilha. Nano Lett., 2018, 18 (10), pp 6353–6359. DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b02707.

Pontos quânticos com regras únicas

glossarioUm trabalho liderado por pesquisadores da Unicamp revelou surpreendentes novidades sobre as regras que determinam os níveis de energia dos elétrons em pontos quânticos de dissulfeto de cobre e índio (CuInS2), os quais se destacam na família dos pontos quânticos por serem atóxicos. O trabalho foi recentemente reportado no periódico científico Nano Letters (fator de impacto 12,08).

Os resultados do estudo, confirmados por métodos experimentais e teóricos, mostraram uma situação na estrutura de bandas de energia que nunca antes tinha sido observada em outros materiais.

Diagrama simplicado da estrutura de bandas de um semiconductor. https://en.wikipedia.org/wiki/Valence_and_conduction_bands#/media/File:Semiconductor_band_structure_(lots_of_bands_2).svg
Diagrama simplicado da estrutura de bandas de um semiconductor. Link da fonte.

A estrutura de bandas é um modelo científico bem estabelecido que mostra quais estados ou níveis de energia os elétrons podem ocupar em um determinado material. Esses estados de energia são representados em forma de bandas permitidas (aquelas que os elétrons podem atingir) e bandas proibidas (aquelas em que os elétrons não podem ser encontrados).

Em semicondutores, as bandas de energia que são permitidas para um elétron e que determinam as propriedades de um material são a banda de valência e a de condução. Ambas estão separadas por uma banda proibida (band gap). Para que elétrons “pulem” da banda de valência à de condução, transpondo a banda proibida num processo denominado transição, é necessário que recebam energia extra, o que pode ocorrer quando o material absorve fótons. Ao perderem energia, esses elétrons podem voltar a ocupar seus lugares na banda de condução, e a energia excedente pode ser emitida em forma de fótons (luz). Essa emissão de luz decorrente da absorção de fótons é conhecida como fotoluminescência.

Foto dos estudantes Gabriel Nagamine (na frente) e Henrique Nunciaroni, os dois primeiros autores do paper, trabalhando no laboratório.
Foto dos estudantes Gabriel Nagamine (na frente) e Henrique Nunciaroni, os dois primeiros autores do paper, trabalhando no laboratório.

Fazendo experimentos no Laboratório de Fenômenos Ultrarrápidos do Instituto de Física Gleb Wataghin (UNICAMP), os pesquisadores brasileiros descobriram que os pontos quânticos que estavam estudando não seguiam as mesmas regras de transição que os demais materiais e nanomateriais semicondutores. “De forma geral, em semicondutores, bulk ou nanoestruturados, os estados que formam o topo da banda de valência e o fundo da banda de condução são tais que uma transição entre esses estados, por absorção de um fóton, é permitida”, contextualiza Lázaro Aurélio Padilha Junior, professor da UNICAMP e autor correspondente do artigo. “O que mostramos foi que, no material estudado (pontos quânticos de CuInS2), essa transição é proibida por absorção de um fóton, sendo necessária a interação com dois fótons para que essa transição ocorra. Até onde sabemos, esse é o primeiro sistema semicondutor que apresenta essa inversão de estados”, conta Padilha.

A descoberta, além de mostrar que as normas que regem os estados dos elétrons em semicondutores não valem para todos os materiais, pode ter impacto nas aplicações dos pontos quânticos estudados. De acordo com Padilha, as condições descobertas favorecem a emissão simultânea de dois fótons no material quando os elétrons voltam à banda de condução. “Isso poderia ser atrativo para sistemas lasers que emitiriam luz em duas cores distintas ao mesmo tempo, e com ajuste de cor em uma larga faixa espectral”, diz o professor. Além disso, acrescenta Gabriel Nagamine, primeiro autor do artigo, entender a estrutura de bandas do material pode melhorar o desempenho de aplicações já existentes, como os concentradores solares luminescentes – uma tecnologia que podem ser utilizadas tanto para gerar energia elétrica a partir da luz solar quanto para aumentar a produção de alimentos em estufas. “Todas essas aplicações advêm das características únicas das bandas eletrônicas desses materiais”, diz Nagamine.

História de um resultado experimental teoricamente anunciado

A história desta descoberta remonta ao ano de 2015, quando o professor Padilha, que trabalha com pontos quânticos desde 2010, seu aluno de mestrado Gabriel Nagamine e outros membros do grupo de pesquisa decidiram investir esforços em estudar os pontos quânticos de CuInS2. “Esse material chamou nossa atenção por não possuir metal pesado em sua composição, o que o tornava interessante para aplicações em Biologia e Medicina, como, por exemplo, marcadores biológicos fluorescentes”, conta Padilha. De fato, os pontos quânticos, que foram descobertos na década de 1980 e já estão presentes em produtos como telas de TV, apresentam propriedades muito interessantes para serem usados na detecção de doenças e outras aplicações na área de saúde, mas quase todos eles são tóxicos devido a sua composição química.

Esta figura mostra o espectro de absorção de dois fótons (pontos amarelos) e o espectro de absorção de um fóton (línea azul) em pontos quânticos de CuInS2 esféricos. As setas indicam os picos de absorção de dois fótons (setas amarelas) e de um fóton (seta azul). No canto superior esquerdo, há uma imagem de microscopia eletrônica de transmissão mostrando um dos pontos quânticos.
Espectro de absorção de dois fótons (pontos amarelos) e espectro de absorção de um fóton (línea azul) em pontos quânticos de CuInS2 esféricos. Setas: picos de absorção de dois fótons (setas amarelas) e de um fóton (seta azul). No canto superior esquerdo, imagem de MET mostrando um dos pontos quânticos.

A equipe da UNICAMP fez então uma colaboração com a empresa UbiQD, localizada em Los Álamos (Estados Unidos) e especializada na produção de pontos quânticos, pela qual a firma forneceu amostras de pontos quânticos esféricos e piramidais. A caracterização das amostras foi realizada parcialmente na empresa e também no Laboratório Nacional de Nanotecnologia (LNNano) do CNPEM, na cidade de Campinas (SP, Brasil).

Inicialmente, Padilha e sua equipe se propuseram a investigar quão forte era a absorção de dois fótons no material escolhido, já que esse processo óptico permite fazer imagens tridimensionais de material, que podem ser muito úteis na sua caracterização e também em sua aplicação em diversas áreas. Para isso, no início de 2016, a equipe realizou os experimentos principais do trabalho no IFGW-UNICAMP usando uma técnica de espectroscopia que permite detectar emissão de luz proveniente da absorção de dois fótons. “As primeiras medidas revelaram um pico de absorção de dois fótons a energias menores que as da absorção linear – fato nunca antes observado experimentalmente”, conta Padilha. “Achamos que poderia ser algum problema em nossa fonte laser e repetimos o experimento, obtendo os mesmos resultados”, relata. Esses resultados, que são exibidos na figura ao lado, surgiram dos experimentos realizados com pontos quânticos esféricos. Já nas amostras de pontos quânticos com formato de pirâmide, a predominância da absorção de dois fótons não foi observada.

Em maio do mesmo ano, Padilha encontrou-se com o Dr. Alexander Efros, do National Research Laboratory (EUA) em uma conferência na Coréia do Sul. “Ele, que é um dos mais respeitados teóricos que trabalham com estrutura eletrônica de pontos quânticos semicondutores, mencionou que havia feito uns cálculos que previam uma inversão na paridade dos estados nesses nanomateriais. Imediatamente notamos que eu tinha provado a teoria dele”, relata o professor da UNICAMP. Os cientistas começaram então a trabalhar juntos e a tentar entender outros aspectos do problema, até submeter o artigo à Nano Letters. O paper foi aceito em menos de dois meses.

A pesquisa que originou o artigo faz parte da dissertação de mestrado de Gabriel Nagamine, defendida em 2017 pelo IFGW-UNICAMP, e recebeu apoio financeiro de agências brasileiras de apoio à pesquisa (a paulista FAPESP e a federal CNPq), do serviço de apoio ao estudante (SAE) da UNICAMP e do Office of Naval Research (Estados Unidos).

Seleção de professores pesquisadores para o PPGCEM – UNESC.

 Edital para contratação de docentes  para atuarem no Programa de Pós-graduação “Stricto Sensu” e nos Cursos de Graduação.

Área de Ciência e Engenharia de Materiais, na Universidade do Extremo Sul Catarinense – UNESC.

São Três (03) Vagas para atuarem como professor pesquisador no mestrado/ doutorado do PPGCEM e graduação.

Edital disponível no link: https://www.unesc.net/portal/resources/official_documents/16370.pdf?1543449958

XVIII B-MRS Meeting: palestras plenárias e palestra memorial.

logo médioSaiba quais serão as palestras plenárias e a palestra memorial do XVIII B-MRS Meeting (Balneário Camboriú, 22 a 26 de setembro de 2019).

 

Memorial Lecture

Prof. Yvonne Primerano Mascarenhas

Instituto de Física de São Carlos – USP

 

Plenary Lectures

Prof. Julia Greer

California Institute of Technology – USA

Title: Materials by Design: Three-Dimensional Nano-Architected Meta-Materials

 

Prof. Stefano Baroni

Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati – Italy

Title: Multi scale simulation of the color optical properties of natural dyes in solution

 

Prof. Alan Taub

University of Michigan – USA

Title: Challenges in Processing of Materials to Reduce Weight of Structural Components

 

Prof. Norbert Koch

Humboldt-Universität zu Berlin – Germany

Title: Hybrid inorganic/organic semiconductor structures for opto-electronics

 

Prof. Mingzhong Wu

Colorado State University – USA

Title: Spin Transfer in Topological Insulator/Magnetic Insulator Bi-Layered Structures

 

Prof. Maurizio Prato

Università degli Studi di Trieste – Italy

Title: Multifunctional Hybrid Carbon Interfaces

Sócio fundador da SBPMat é um dos vencedores de prêmio nacional do Instituto Nanocell.

Fernando Galembeck
Fernando Galembeck

Fernando Galembeck, professor aposentado colaborador da UNICAMP, é um dos cientistas distinguidos com o III Prêmio Cientistas e Empreendedores do Ano Instituto Nanocell. Galembeck foi selecionado na categoria “Professor”, na área “Nanotecnologia”.

O professor Galembeck, que tem um amplo histórico de atuação em pesquisa, desenvolvimento e inovação em materiais, é sócio fundador da SBPMat e foi destacado neste ano pela sociedade com a Palestra Memorial Joaquim da Costa Ribeiro.

Pós-Doutorado na UFABC com bolsa FAPESP.

Área de conhecimento: Física/Química de materiais

Nº do processo FAPESP: 2017/02317-2

Título do projeto: Síntese e caracterização de propriedades físicas de perovskitas de haletos

Pesquisadores: Dr. Gustavo Dalpian e Dr. Jose Antonio Souza

Unidade/Instituição: Universidade Federal do ABC – Campus Santo André

Data limite para inscrições: 30/12/2018

Localização: Avenida dos Estados, 5001 – Bairro Santa Terezinha – Santo André, São Paulo.

E-mails para inscrições: (gustavo.dalpian@ufabc.edu.br); (joseantonio.souza@ufabc.edu.br)

 

As atividades de pesquisa estão relacionadas ao projeto temático “Interfaces em Materiais: Propriedades Eletrônicas, Magnéticas, Estruturais e de Transporte”, sob coordenação do Prof. Adalberto Fazzio (LNNano, CNPEM – Campinas). O supervisor do pós-doutorado será o Prof. Gustavo Dalpian em colaboração com Prof. Jose Antonio Souza da Universidade Federal do ABC (UFABC), Santo André – São Paulo.

Pretende-se desenvolver pesquisas envolvendo síntese e caracterização das propriedades físicas de perovskitas híbridas orgânico/inorgânico de haletos do tipo ABX3 (onde A = Cs, CH3NH3, etc.; B = Pb, Sn, etc.; e X = Cl, Br ou I). Esses materiais vêm sendo amplamente estudados devido às suas propriedades favoráveis à conversão de energia solar. A compreensão dos fenômenos físicos envolvendo as propriedades estruturais, morfológicas, ópticas e elétricas são de grande interesse científico neste projeto. Dessa forma, síntese desses materiais na forma de bulk e/ou filmes finos e/ou heteroestruturas e/ou quantum dots e o estudo das propriedades físicas são de interesse. A pesquisa será desenvolvida na Universidade Federal do ABC – Campus Santo André.

A oportunidade está aberta igualmente a candidatos brasileiros e estrangeiros com título de doutor, no Brasil ou no exterior, em áreas relacionadas ao tema proposto. É imprescindível que o candidato tenha alguma experiência internacional, além de publicações nas áreas correlatadas ao projeto em revistas de relevante impacto internacional.

Os seguintes documentos são necessários para candidatura:

  1. Curriculum vitae, apresentando a experiência acadêmica do candidato e a lista de trabalhos publicados em periódicos. O currículo deve ser submetido em formato eletrônico pdf (Portable Document Format), onde os artigos devem ser identificados pelo DOI;
  2. Documento que comprove que é portador de título de doutor;
  3. Pelo menos duas cartas de recomendação as quais devem ser enviadas diretamente para os e-mails cotados acima.

Para avaliação das propostas serão levados em consideração os seguintes aspectos: histórico de pesquisa do candidato e análise das cartas de recomendação recebidas. No que se refere à análise curricular, não será considerado somente o número de publicações do candidato, mas também sua qualidade e relevância. Adicionalmente, os candidatos serão convocados para uma entrevista presencial ou online com o supervisor para avaliar aderência das áreas de experiência do candidato aos temas de pesquisa relacionados ao projeto.

A implantação da bolsa está condicionada à aprovação do candidato selecionado pela FAPESP. Caso a decisão seja referendada pela FAPESP, o candidato selecionado receberá bolsa no valor de R$ 7.174,80 mensais e reserva técnica equivalente a 15% do valor anual da bolsa, destinada a realizar apenas despesas diretamente relacionadas à atividade de pesquisa. Mais informações sobre a bolsa podem ser obtidas no endereço eletrônico: www.fapesp.br/bolsas/pd.

O candidato deverá enviar toda a documentação via e-mail para o endereço eletrônico acima com o título “Fellowship PD – Application”. O prazo para envio das inscrições se encerra em 30/12/18. Serão consideradas as inscrições em que todos os documentos (inclusive as cartas de recomendação) tenham sido recebidas impreterivelmente até a meia-noite do dia 30/12/2018, no horário de Brasília (UTC-3, horário de brasileiro de verão).

 

Pós-doutorado no PPGCEM da UFRN.

O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais (PPGCEM) da Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN), programa avaliado com Nota 7 pela CAPES, divulga novo Edital de Estágio Pós-Doutoral do Programa (EDITAL 04/2018 – PPGCEM – PROCESSO SELETIVO PARA PÓS-DOUTORADO), disponível aqui.

As inscrições poderão ser realizadas no período de 15/12/2018 a 25/01/2019, pelo site do PPGCEM (www.posgraduacao.ufrn.br/ppgcem) ou pela página do SIGAA: https://sigaa.ufrn.br/sigaa/public/processo_seletivo/lista.jsf?aba=pprocesso&nivel%2520=S

Serão disponibilizadas 4 (quatro) vagas para Doutores em Ciência e Engenharia de Materiais ou áreas afins.

Os candidatos aprovados poderão solicitar ao PPGCEM bolsa de pós-doutorado, dentro das cotas disponibilizadas pela CAPES ao Programa e conforme disponibilidade das mesmas, no âmbito do Programa Nacional de Pós-Doutorado (PNPD/CAPES).

E, para mais informações ou em caso de dúvidas:

Sócio da SBPMat assume função de editor no Journal of Alloys and Compounds.

Prof. Valmor Mastelaro
Prof. Valmor Mastelaro

O professor Valmor Roberto Mastelaro (Instituto de Física de São Carlos, USP) foi recentemente incorporado ao corpo de editores do Journal of Alloys and Compounds, da editora Elsevier.

Mastelaro, que é sócio da SBPMat desde 2006, é, no momento, o único pesquisador da América Latina no corpo editorial do periódico, formado por 44 pessoas.

Pós-doutorado na UFSC com bolsa PNPD/CAPES.

O Programa de Pós-Graduação em Física da Universidade Federal de Santa Catarina – PPGFSC-UFSC, Florianópolis, anuncia a disponibilidade de 1 (uma ) bolsa de pós-doutorado do Programa Nacional de Pós-doutorado da Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (PNPD/CAPES), para o período de 2 (dois) anos, podendo ser renovada anualmente por, no máximo, 60 meses.

A mensalidade da bolsa é de R$ 4.100.00 (quatro mil e cem reais) além de valores destinados ao custeio.

O candidato deve atuar em linhas de pesquisa TEÓRICAS ou EXPERIMENTAIS, em uma das seguintes áreas de pesquisa: Astrofísica, Física Atômica e Molecular, Física da Matéria Condensada e Mecânica Estatística, Física Nuclear e de Hádrons, Física Matemática e Teoria de Campos.

O regulamento completo do Programa Nacional de Pós-Doutorado – PNPD está descrito na Portaria nº 086, de 03 de julho de 2013.

Inscrição de 12 de novembro de 2018 até 29 de novembro de 2018 às 17 horas.

Para fazer sua inscrição clique aqui

Inscrições para o mestrado e doutorado em Nanotecnologia da COPPE/UFRJ.

Estão abertas as inscrições para o Processo Seletivo 2019/1 ao Mestrado Acadêmico e ao Doutorado do Programa de Pós-Graduação em Engenharia da Nanotecnologia – PENt da COPPE/UFRJ.

O PENt é um Programa pioneiro no Brasil na área de Engenharia da Nanotecnologia, que deu início às suas atividades no ano de 2014.

Nesta oportunidade estão sendo oferecidas 20 vagas para o Mestrado Acadêmico (para entrada no período 2019/1) e um total de 20 vagas para o Doutorado (para entradas nos períodos 2019/1, 2019/2 e 2019/3).

O período de inscrição para ingresso no Mestrado Acadêmico no período 2019/1 é de 08/10/2018 a 23/11/2018 07/12/2018 (NOVA DATA).
O período de inscrição para ingresso no Doutorado no período 2019/1 é de 08/10/2018 a 14/12/2018.

Mais informações e documentos estão disponíveis na página do PENt na internet: http://www.pent.coppe.ufrj.br/index.php/processoseletivo.html