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Tag: b-mrs
Call for symposium proposals for the XVII Brazilian MRS (B-MRS) Meeting (Natal – RN, Brazil).
Symposium proposals for the XVII Brazilian MRS Meeting can be submitted from October 31st, 2017 to January 31st, 2018.
The meeting will take place at the Praiamar Natal Hotel & Convention Center, located at the Ponta Negra Beach, Natal, RN, from September 16th to 20th, 2018. The meeting chair is Prof. Antonio Eduardo Martinelli (Federal University of Rio Grande do Norte).
Proposals may be submitted by any PhD professor or researcher affiliated to a Higher Education and/or a Research Institution in Brazil or abroad, in any current field of Materials Science and Engineering. A submission form is available at http://sbpmat.org.br/proposed_symposium/.
The following data is required:
– Description of the symposium scope
– List of topics of interest
– Tentative list of invited speakers
– Names and contacts of symposium organizers
The organizing committee looks forward to having your contribution and participation at the 2018 B-MRS Meeting in Natal.
Sócios da SBPMat nomeados editores de periódicos científicos internacionais.
O presidente da SBPMat, Osvaldo Novais de Oliveira Junior, é o mais novo editor associado da ACS Applied Materials and Interfaces, periódico da ACS Publications com fator de impacto de 7,504. O professor titular do IFSC – USP (Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo) assumiu a função no início de setembro. Na SBPMat, Oliveira Junior já foi diretor administrativo e conselheiro, e preside a sociedade desde início de 2016.
A revista Solar Energy (fator de impacto 4,018) também incorporou recentemente um membro da SBPMat entre seus editores. Trata-se de Carlos Frederico de Oliveira Graeff, professor titular e pró-reitor de pesquisa da Unesp (Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho). Graeff foi nomeado editor associado na área de Fotovoltaicos nesse periódico da editora Elsevier. Sócio da SBPMat desde sua fundação, Graeff foi diretor científico da sociedade e atuou no comitê científico do Boletim da SBPMat.
Finalmente, Carlos José Leopoldo Constantino, também professor da Unesp e membro da comunidade da SBPMat, assumiu em julho deste ano como editor associado na área de Nanomateriais do periódico Journal of Nanoscience and Nanotechnology (fator de impacto 1,483), da American Scientific Publishers.
Boletim da SBPMat – edição especial sobre o XVI Encontro da SBPMat.
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XVII Encontro da SBPMat será em Natal em setembro de 2018.
Com muita satisfação, a Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais anuncia que a 17ª edição de seu evento anual (Encontro da SBPMat/ B-MRS Meeting) será realizada na cidade de Natal (RN), no Centro de Convenções do Hotel Praiamar, de 16 a 20 de setembro de 2018, sob coordenação do professor Antonio Eduardo Martinelli (UFRN).
Reserve esta data!
Entrevista com Kenneth E. Gonsalves (professor do Indian Institute of Technology Mandi, India).
Na corrida por desenvolver chips cada vez menores e de melhor desempenho, várias limitações tecnológicas precisam ser superadas. Hoje, os gargalos para continuar nessa tendência se encontram, principalmente, nas técnicas para fabricar circuitos eletrônicos de menos de 10 nm. Dentre as técnicas que estão sendo aprimoradas para fabricar a próxima geração de chips, uma das mais promissoras é a litografia por luz ultravioleta extrema, conhecida pela sigla em inglês EUVL (extreme ultraviolet lithography), que aproveita o curtíssimo comprimento de onda desse tipo de radiação para gravar circuitos nanométricos em cima dos “resistes” – finas camadas de material sensível à radiação que cobrem o substrato do chip durante sua fabricação.
No XVI Encontro da SBPMat, a palestra plenária da tarde 12 de setembro discutirá uma importante contribuição que a área de materiais pode fazer à fabricação da próxima geração de chips: o desenvolvimento de resistes adequados à fabricação de circuitos eletrônicos de menos de 10 nm por EUVL.
O assunto será apresentado por Kenneth E. Gonsalves, Distinguished Professor do Indian Institute of Technology Mandi (IIT Mandi), instituição indiana de ensino e pesquisa científica e tecnológica criada em 2009, aonde Gonsalves chegou em 2012 como professor visitante.
Gonsalves formou-se em Química pela University of Delhi (India). Depois, fez mestrado, também em Química, no Boston College (EUA) e doutorado na University of Massachusetts at Amherst(EUA), com uma tese sobre síntese de polímeros. Posteriormente, especializou-se em cerâmica polimérica (polymer ceramics) no MIT (EUA). De 2001 a 2014, ele ocupou a cadeira Celanese Acetate de materiais poliméricos na University of North Carolina at Charlotte (EUA).
Junto a seu grupo de pesquisa no instituto indiano e a seus colaboradores dos Estados Unidos, Índia, Brasil e Europa, Gonsalves tem realizado projetos de desenvolvimento de resistes para técnicas de nanofabricação avançadas, contando com financiamento grandes empresas do segmento da eletrônica.
Aqui segue uma breve entrevista com o pesquisador.
Boletim da SBPMat: – Conte-nos um pouco sobre suas principais contribuições científicas / tecnológicas.
Kenneth Gonsalves: – Minha pesquisa centrou-se em polímeros com ênfase na síntese de novos materiais. Nos últimos 20 anos, concentrei-me na tecnologia de resistes para a fabricação de CI (circuitos integrados). Esta é uma área fascinante, pois possui importantes aplicações tecnológicas no desenvolvimento de circuitos integrados, dispositivos de estado sólido. Além disso, também pode ser usada com sucesso em engenharia de células e tecidos para arcabouços (scaffolds) para biotecnologias.
Boletim da SBPMat: – Sobre os resistes nos quais você está trabalhando, quais habilidades são necessárias para desenvolvê-los, na sua opinião? E quando essa próxima geração de chips deverá estar disponível?
Kenneth Gonsalves: – A P&D de resistes é multifacetada e extremamente complexa. Exige colaborações extensas entre químicos orgânicos, inorgânicos e de polímeros. Além disso, a interação com físicos e engenheiros elétricos / eletrônicos é essencial. A próxima geração de chips no nodo de 14 nm está atualmente disponível. A tecnologia de nodos sub 7 nm está prevista para 2018.
Boletim da SBPMat: – Descreva da maneira mais simples e breve possível o processo de EUVL, sem esquecer de mencionar o papel dos resistes.
Kenneth Gonsalves: – Os fótons EUV são gerados por uma fonte de plasma ou síncrotron que opera a um comprimento de onda de 13,5 nm. Através de uma série de espelhos especiais e uma máscara, o modelo pré-designado para a fabricação do circuito integrado é projetado em materiais fotossensíveis, como polímeros e inorgânicos. Tudo isso é conduzido no vácuo, um desafio para a indústria de fabricação de circuitos integrados, uma vez que é uma mudança drástica com relação à atual tecnologia de fotolitografia, que funciona em condições ambientais. O comprimento de onda EUV extremamente curto é um pré-requisito para padrões da escala sub 20 nm. Os desafios para resistes que podem atender aos requisitos de nodo sub 7 nm são enormes. Um novo paradigma é primordial – os resistes híbridos, que são parcialmente inorgânicos, podem fornecer soluções para modelagem nessas escalas. As máscaras rígidas inorgânicas são outra alternativa. A sensibilidade desses fotorresistes deve ser aumentada drasticamente para atender a produção em massa de chips. Existem vários outros parâmetros críticos que devem ser atendidos para um sistema de resistes bem-sucedido. Mais uma vez, isso exige uma colaboração multidisciplinar, multi-institucional e industrial em escala global.
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Mais Informações
No site da reunião do XVI B-MRS, clique na foto de Kenneth Gonsalves e veja seu mini CV e o resumo de sua palestra plenária: http://sbpmat.org.br/16encontro/home/
Nota Pública da SBPMat.
O conselho e a diretoria da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat) vêm a público protestar veementemente contra os cortes no financiamento à pesquisa, desenvolvimento tecnológico e inovação, endossando a posição adotada em nota recente pela Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciência (SBPC) e Academia Brasileira de Ciências (ABC).
Não se trata apenas de cortes para compensar queda de arrecadação ou para um ajuste fiscal, pois os cortes no Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações atingem praticamente metade do previsto para o orçamento de 2017. Igualmente preocupante é a situação do CNPq, um dos órgãos mais importantes para o financiamento da pesquisa e tecnologia no Brasil, que corre o risco de interromper pagamento de bolsas e projetos em virtude de contingenciamento de seu orçamento.
O conselho e a diretoria da SBPMat exortam ao governo federal para agir com responsabilidade na preservação do sistema de ensino superior e de pesquisa do Brasil. Os cortes e contingenciamentos orçamentários ameaçam a viabilidade das atividades de universidades federais e centros de pesquisa nacionais, à semelhança do que já ocorre infelizmente com a Universidade Estadual do Rio de Janeiro (UERJ). Os prejuízos podem ser irreversíveis.
A experiência de países desenvolvidos tem mostrado amplamente que não há desenvolvimento sócio-econômico sem educação e geração de conhecimento. A maneira como o governo federal vem tratando a educação e a ciência no Brasil pode comprometer nosso futuro.
Boletim da SBPMat. 58ª edição.
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Boletim da SBPMat. 57 ª edição.
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Boletim da SBPMat – 55ª edição.
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