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A Universidade Federal de Lavras (UFLA) informa a abertura de concurso público para preenchimento de vinte vagas para professores Adjunto A (com exigência mínima de doutorado na titulação) e Assistente A (com exigência mínima de mestrado). As vagas são para os Departamentos de Biologia (DBI) e Engenharia (DEG). As inscrições devem ser realizadas no endereço eletrônico http://www.prgdp.
As vagas são para as áreas de:
DBI: Bioquímica e Metabolismo Vegetal (uma vaga); Bioinformática Aplicada à Microbiologia (uma vaga); Crescimento e Desenvolvimento de Plantas (uma Vaga) e Taxonomia Vegetal/subárea – taxonomia de fanerógamas (uma vaga).
DEG: Aproveitamento e Conversão de Energia; e Ciência e Tecnologia de Materiais (duas vagas). As demais áreas oferecem uma vaga: Construção Civil, Engenharia de Estruturas, Geotecnia, Hidráulica, Materiais Metálicos, Máquinas Térmicas e Hidráulicas, Modelagem e Simulação de Processos Químicos, Processos de Fabricação Mecânica, Processos Térmicos e Equilíbrio de Soluções, Projeto Mecânico, Projetos de Processos da Indústria Química e Sistemas Particulados.
O regime de trabalho é de dedicação exclusiva, regido pela Lei no 8.112, de 1990. O candidato aprovado receberá as remunerações iniciais para os cargos de Professor Adjunto A e Professor Assistente, Nível 1, compostas de vencimento básico e retribuição por titulação – RT (comprovada e não cumulativa), conforme a tabela abaixo, acrescido do auxílio-alimentação e do auxílio- transporte, nos termos da legislação vigente.
| Cargo | Regime de trabalho | Vencimento Básico | Retribuição por Titulação | ||
| Especialização | Mestrado | Doutorado | |||
| Adjunto A | Dedicação exclusiva | 4.455,22 | – | – | 5.130,45 |
| Assistente A | Dedicação exclusiva | 4.455,22 | – | 2.172,21 | 5.130,45 |
Antes de efetuar a inscrição, o candidato deverá tomar conhecimento do Edital, disponível no endereço eletrônico http://www.prgdp.
A seleção será feita por meio de prova escrita, didática, de defesa de Plano de Trabalho e de títulos. As avaliações serão realizadas no câmpus da UFLA, em data a ser divulgada a partir de 4/4/2018. Os dias, horários e locais de realização serão divulgados oficialmente, no endereço eletrônico www.prgdp.ufla.br/
Não será emitido comprovante definitivo de inscrição. É de exclusiva responsabilidade do candidato informar-se sobre as datas, horários e locais de prova.
Há diversas vagas, inclusive para engenheiro físico, o qual terá atuação junto ao programa de pós-graduação em Ciência dos Materiais.
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O artigo científico com participação de membros da comunidade brasileira de pesquisa em Materiais em destaque neste mês é: Exploring Au Droplet Motion in Nanowire Growth: A Simple Route toward Asymmetric GaP Morphologies. Bruno C. da Silva*, Douglas S. Oliveira, Fernando Iikawa, Odilon D. D. Couto Jr., Jefferson Bettini, Luiz F. Zagonel, and Mônica A. Cotta*. Nano Lett., 2017, 17 (12), pp 7274–7282. DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02770
Nanopartículas movediças para nanofios assimétricos.

Em artigo recentemente publicado no periódico NanoLetters (fator de impacto 12,712), uma equipe de cientistas do Brasil apresentou um processo que permite produzir nanofios semicondutores de morfologia assimétrica, distintos dos tradicionais nanofios cônicos ou cilíndricos. Vale lembrar que nanofios são estruturas com diâmetro ou espessura nanométrica e sem limitações de tamanho quanto ao comprimento.
“Nossa principal contribuição consiste em demonstrar uma alternativa para o controle da morfologia no crescimento de nanoestruturas semicondutoras tipo nanofio”, afirma Bruno César da Silva, autor correspondente do artigo. Essa possibilidade de se produzir, de forma controlada, nanofios com formatos diferenciados e sem defeitos, pode ter impacto em diversas aplicações, inclusive a fabricação de células solares e LEDs.
Os autores descobriram o processo enquanto estudavam a produção de nanofios que fossem interessantes para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos. Entre os candidatos promissores, os cientistas escolheram, pelas suas propriedades, nanofios de fosfeto de gálio (GaP) com uma determinada estrutura cristalina conhecida como wurtzita. O trabalho estava sendo realizado dentro do mestrado de Bruno da Silva, iniciado em 2014 com orientação dos professores Luiz Fernando Zagonel e Mônica Alonso Cotta, ambos do Instituto de Física Glew Wataghin (Unicamp). Nos primeiros meses de trabalho, enquanto analisavam os nanofios obtidos, os cientistas encontraram uma quantidade significativa de nanoestruturas de fosfeto de gálio com formato assimétrico. “Além disso, vimos que esses nanofios, especificamente, tinham estrutura cristalina hexagonal (wurtzita) e baixíssima densidade de defeitos cristalográficos, o que nos motivou a estudar posteriormente em detalhes as causas da formação desta estrutura singular”, relata da Silva.
A técnica escolhida pela equipe da Unicamp para produzir os nanofios foi a epitaxia por feixe químico (CBE, na sigla em inglês), precedida por um aquecimento (annealing) do substrato no qual crescem os nanofios. Na CBE, coloca-se, dentro de uma câmara, um substrato de material adequado – neste caso, arseneto de gálio (GaAs). Depois são introduzidos na câmara, compostos químicos em forma de vapor, contendo elementos do material com o qual se deseja formar os nanofios – neste caso, fosfeto de gálio. O material vai se depositando em cima do substrato, camada sobre camada. Dessa maneira, a técnica gera filmes. Para promover o crescimento de nanofios, depositam-se no substrato nanopartículas metálicas (neste caso, de ouro), antes de expô-lo ao vapor. Durante a exposição ao vapor, essas nanopartículas catalisadoras fazem com que o material se deposite preferencialmente debaixo delas, formando estruturas relativamente compridas.
Voltando à história do trabalho dos nanofios assimétricos, em 2016, defendido o mestrado e iniciado o doutorado, Bruno da Silva e sua orientadora Mônica Cotta começaram a levantar e testar hipóteses para a causa da formação dessas peculiares estruturas. Após diversos experimentos e análises, a dupla concentrou esforços num fenômeno que chamou a sua atenção: nos estágios iniciais do processo, as nanopartículas de ouro se deslocavam espontaneamente sobre o substrato. Nesse momento, os cientistas notaram que não eram os únicos curiosos por compreender o fenômeno das nanopartículas movediças; diferentes grupos de pesquisa no mundo estavam começando a investigá-lo.

A equipe brasileira empreendeu então um trabalho sistemático de aquecimento do substrato com nanopartículas catalisadoras e de crescimento de nanofios sob diversas condições, e analisou as amostras resultantes usando microscópios eletrônicos de varredura e de transmissão e microscópio de força atômica. Dessa maneira, a dupla e seus colaboradores do IFGW-Unicamp e do Laboratório Nacional de Nanotecnologia (LNNano) conseguiram descobrir por que o processo de crescimento utilizado resultava em nanofios assimétricos. O principal responsável por gerar tal morfologia era, de fato, o movimento das nanopartículas de ouro, o qual se ativava termicamente com o tratamento térmico (annealing) inicial. Além ter uma explicação, a equipe possuía agora uma receita para produzir nanofios semicondutores de formato assimétrico. “Nosso trabalho foi o primeiro a mostrar que a instabilidade mecânica da nanopartícula catalisadora pode ser utilizada para modificar o crescimento de nanofios semicondutores, no nosso caso, impactando principalmente a sua morfologia”, diz Bruno da Silva.
O mecanismo de formação dos nanofios assimétricos apresentado no artigo é, em grandes linhas, o seguinte. Ao serem aquecidas junto ao substrato no tratamento térmico, as nanopartículas começam a se movimentar e avançam pelo substrato enquanto consomem a camada de óxido que naturalmente recobre o arseneto de gálio e consomem também parte do próprio arseneto de gálio em si. Assim, as nanopartículas vão formando sulcos assimétricos de poucos nanometros de profundidade e poucas centenas de nanometros de comprimento. Esses rastros tornam-se terra fértil para o crescimento dos nanofios, já que a taxa de deposição do material é maior ali do que no resto do “chão”, recoberto pelo óxido. Então, um pedestal se forma ao longo dos sulcos e, a partir do momento em que a nanopartícula se descola do substrato, o nanofio cresce em cima do pedestal num formato assimétrico. “Mostramos que o movimento da partícula gera uma zona de deposição preferencial, e que a combinação deste fenômeno com o crescimento axial “vapor –líquido – sólido” leva à formação da assimetria no nanofio”, resume da Silva.
Além de descrever o mecanismo de formação dos nanofios assimétricos, o trabalho da equipe brasileira gerou conhecimento detalhado sobre o movimento das nanopartículas metálicas. “Nós mostramos que, além da temperatura, as condições de vácuo e a qualidade da superfície do substrato são cruciais para a estabilidade da nanopartícula, e que a direção do movimento está relacionada com a assimetria da dissolução de ouro em superfícies semicondutoras III-V”, detalha o doutorando.
O trabalho experimental que originou o artigo da Nano Letters foi realizado no Laboratório de Nano e Biossistemas do IFGW-Unicamp (síntese do material e caracterização por microscopia de força atômica), no Grupo de Propriedades Ópticas do IFGW-Unicamp (medidas ópticas), no Laboratório de Microscopia Eletrônica do Laboratório Nacional de Nanotecnologia do Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais (LNNano-CNPEM), e no Laboratório de Caracterização Estrutural do Departamento de Engenharia de Materiais da Universidade Federal de São Carlos (DEMA-UFSCAR). O trabalho contou com financiamento da Unicamp, por meio do fundo FAEPEX, das agências brasileiras federais CNPq e CAPES e da Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP).

Reeleito em janeiro deste ano, o professor Osvaldo Novais de Oliveira Junior (IFSC-USP) inicia neste mês de fevereiro seu segundo mandato consecutivo como presidente da SBPMat, junto a uma diretoria parcialmente renovada, formada pelo professor Rubem Luis Sommer (CBPF) no setor de administração, finanças e patrimônio, e, como diretores científicos, os professores Antonio Eduardo Martinelli (UFRN), Daniel Eduardo Weibel (UFRGS), Glaura Goulart Silva (UFMG), Iêda Maria Garcia dos Santos (UFPB) e Mônica Alonso Cotta (Unicamp). Esta diretoria administrará a sociedade por dois anos, até o final de 2019.
Atualmente, o professor Novais de Oliveira Junior (ou “Chu”, como é conhecido) é professor titular do Instituto de Física de São Carlos – Universidade de São Paulo (IFSC-USP) e editor associado da revista ACS Applied Materials & Interfaces. Dono de um índice H de 58, seu nome se encontra entre os dos 100 cientistas do Brasil de todas as áreas com índice H mais alto. É autor de cerca de 500 artigos e seus trabalhos contam com cerca de 15.500 citações (dados do Google Scholar).
Neste entrevista, o presidente reeleito fala um pouco sobre seu primeiro mandato na SBPMat, os planos para a gestão que inicia e suas atividades científicas atuais.
Boletim da SBPMat: – Você acaba de concluir seu primeiro mandato como presidente da SBPMat. Compartilhe com nossos leitores um comentário a respeito dos resultados conseguidos pela diretoria que você presidiu.
Osvaldo Novais de Oliveira Junior: – No mandato que se encerrou a prioridade da diretoria foi a de manter os Encontros Anuais em alto nível, a despeito da crise financeira por que passa o sistema de ciência, tecnologia e inovação no Brasil. Além dessa prioridade, continuamos os esforços de diretorias anteriores na internacionalização da SBPMat, com parcerias com sociedades científicas de outros países.
Boletim da SBPMat: – Você acaba de assumir um novo mandato, de dois anos, como presidente da SBPMat. Comente seus planos e expectativas.
Osvaldo Novais de Oliveira Junior: – A expectativa da diretoria é a de poder dar continuidade às atividades que fizeram da SBPMat uma das sociedades científicas mais atuantes e prestigiosas no Brasil. Como planos principais, destacaria a busca por maior inserção na sociedade, com um trabalho de disseminação das contribuições da ciência e tecnologia para o país, e um aumento no número de associados da SBPMat.
Boletim da SBPMat: – Sobre seu trabalho de pesquisa científica, conte-nos um pouquinho o que está fazendo.
Osvaldo Novais de Oliveira Junior: – A pesquisa de meu grupo, em parceria com outros no Brasil e no exterior, se concentra em duas áreas: i) no estudo e uso de materiais para biologia e medicina, por exemplo com biossensores para diagnóstico precoce de câncer e determinação de mecanismos em nível molecular de fármacos para combater bactérias super-resistentes. ii) uso de metodologias de física estatística e redes complexas para análise de textos, como na identificação de autoria de livros e verificação de multidisciplinaridade na literatura científica.
Boletim da SBPMat: – Se quiser, utilize este espaço para deixar uma mensagem para os sócios da SBPMat e para a comunidade que acompanha as novidades do boletim.
Osvaldo Novais de Oliveira Junior: – Eu e a nova diretoria esperamos contar com o apoio entusiasmado da comunidade, como tem ocorrido nos últimos anos.
Prof Denis Chaumont is looking for a candidate for a PhD subject with funding (3 years by the French Ministry of Education), starting in September 2018.
Title of the project: Growth of hybrid TiO2 nanostructures under MOCVD for applications in energy field.
The candidate must be graduated Master M2 (BAC + 5) before September 1, 2018. The candidate must be a good candidate. The couple candidate/subject will be examined by a jury that will evaluate the ”quality” of the couple.
Interested candidates can send the following documents to Prof Chaumont (denis.chaumont@u-bourgogne.fr):
– a CV,
– a letter of motivation,
– the transcripts of the results and ranking of the year of Master M1,
– the opinion of the internship tutor of M1,
– the transcripts of the results and ranking of the first semester of the year of Master M2,
– a letter of recommendation …
Contact :
Denis CHAUMONT (MCF-HDR)
Nanoform, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ICB
(UMR 6303 CNRS – Université de Bourgogne)
9, Avenue Alain Savary
BP 47 870, 21 078 Dijon Cedex, France
Phone: (33) 3 80 39 59 08 ; Fax : (33) 3 80 39 61 32
E-mail: denis.chaumont@u-bourgogne.fr
Website: http://icb.u-bourgogne.fr/fr/membres/132-permanents/enseignants-chercheurs/516-denis-chaumont.html or www.nanoform.fr
Para atuar no Linha XPD do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS)
Descrição de Atividades: O candidato estará envolvido com as atividades da linha XPD do LNLS: operação da estação experimental, manutenção, suporte técnico e científico ao usuários e auxiliar no workflow das chamadas de propostas. Além disso, o candidato estará envolvido com o projeto científico e de infraestrutura, a construção e futuramente com a operação da linhas HARPIA (High angular resolution powder X-ray diffraction bemaline) do Sirius. O candidato também deverá desenvolver pesquisa científica, orientar alunos e supervisionar pós-docs, além de participar de eventos e projetos de divulgação científica e treinamento ligado à difração de raios X e/ou técnicas de luz síncrotron.
Requisitos: O candidato deve valorizar e desejar fazer parte da equipe do LNLS/CNPEM, atendendo as missões do centro de pesquisa multidisciplinar, multiusuários e de alto nível de competência. O candidato deve saber trabalhar em grupo, estar disposto à colaborar com a diversidade de tarefas que possam surgir, estar disposto à aprender e ensinar à todo momento no trabalho. O candidato dever estar confortável como modo de operação do LNLS e futuramente Sirius, onde os experimentos funcionam por 24h e algumas vezes nos finais de semana. O candidato deve se comprometer com a equipe de trabalho, oferecer e receber o melhor de todos para que sua carreira científica e o laboratório evoluam sempre.
• Doutorado em Física, Química, Ciência de Materiais, Engenharias e áreas relacionadas.
• Experiência/ conhecimento em uso de luz síncrotron e técnica de difração de raios X.
• Inglês avançado.
• Pacote office, linux, programação em Python.
Interessados enviar currículo, carta de apresentação e de recomendação para: elisa.turczyn@lnls.br com a sigla 129374 no campo assunto do e-mail.
Para atuar na Linha SAXS1 do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS)
Descrição de Atividades:
• Participar do planejamento, construção e comissionamento da Linha de Luz Cateretê
• Desenvolver a própria pesquisa (com ou sem colaboração), baseado em Espectroscopia de Correlação de Fótons de Raios X (XPCS).
• Comunicação ativa com a comunidade científica brasileira para promover novas aptidões e oportunidades em XPCS.
• Supervisão de estudantes de Post Docs.
• Participar na operação das linhas de luz (SAXS1 e Cateretê) com os demais membros da equipe.
Requisitos:
• Formação completa em Física
• Doutorado em Física
• Inglês
• Experiência com Espectroscopia de Correlação de Fótons de Raios X (XPCS)
• Experiência com instrumentação de Raio-X para Linhas de Luz.
Interessados enviar currículo, carta de apresentação e de recomendação para: elisa.turczyn@lnls.br com a sigla 103673 no campo assunto do e-mail.
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