Boletim SBPMat – edição 25 – setembro 2014 – especial XIII Encontro da SBPMat.


Edição nº 25 – Setembro de 2014

Especial XIII Encontro da SBPMat – João Pessoa, 28 de setembro a 2 de outubro

Saudações, .

Últimos preparativos para o encontro de João Pessoa!

– Veja a mensagem dos coordenadores do evento, que neste ano conta com 2.141 trabalhos aceitos e cerca de 2.000 inscrições de 28 países até o momento. Na mensagem, os professores Ieda Garcia e Severino de Lima apontam os destaques da programação do encontro deste ano! Aqui.

– Depois do almoço a antes das plenárias da tarde, você poderá assistir em João Pessoa às palestras técnicas de patrocinadores do encontro: a Shimadzu falará sobre MEV com feixe de íons e detector TOF SIMS, e a FEI abordará DualBeam TEM. Saiba mais.
João Pessoa, a “porta do sol”. Saiba mais sobre a cidade, uma das mais antigas do Brasil, e suas atrações naturais e culturais. E prepare-se para mergulhar em águas verdes a 28° C! Leia sobre João Pessoa.
– O que levar na mala? Acompanhe a previsão do tempo, cujas temperaturas devem ficar entre os 22° C e os 30° C. Mas atenção, a organização adverte que, no Centro de Convenções, o ar condicionado deixará o ambiente friozinho… Link para clima em João Pessoa.
Inscrições para participar do evento: aqui.
– Panorama geral da programação: aqui.
– Busca de horários e locais das apresentações dos simpósios: aqui.

–  Algumas opções de hospedagem, locação de carros, transporte desde aeroportos da região, transporte hotéis-centro de convenções e passeios: veja na página inicial do site do evento. Aqui.

– E a festa? Neste ano, será realizada na noite da quarta-feira no Espaço da Caixa Econômica Federal no Cabo Branco. Os ingressos poderão ser comprados na secretaria a partir da segunda-feira às 13h00.

Entrevistas com plenaristas (em português)

Entrevistamos Robert Chang, professor do primeiro departamento de Ciência de Materiais do mundo, na Northwestern University. Além de possuir uma notória carreira como pesquisador (seu índice H é de 56), “Bob” tem se dedicado, nos últimos 20 anos, a conduzir o desenvolvimento do programa Materials World Modules, que desenvolve material educativo de caráter interativo e lúdico (por exemplo, jogos de cartas) sobre Materiais e Nanotecnologia para estudantes do Ensino Básico e seus professores. Na sua palestra plenária no XIII Encontro da SBPMat, o professor Chang tentará mobilizar cidadãos do mundo a solucionar problemas globais, juntos. Veja nossa entrevista com o cientista.

Também falamos com o professor Colin Humphreys, professor da University of Cambridge.  Entre outras honrarias, o cientista recebeu da Rainha de Inglaterra o título de “Sir”, por seus serviços prestados à ciência. Além de ser autor de mais de 600 publicações, o professor desenvolveu materiais para a indústria que hoje voam em motores de aviões e criou LEDs de baixo custo baseados em nitreto de gálio, material no qual é especialista. Em João Pessoa, mostrará, entre outras questões, como o nitreto de gálio poderia reduzir o consumo de eletricidade do mundo em 25%. Veja nossa entrevista com Colin Humphreys.
Entrevistamos o físico alemão Karl Leo, especialista em semicondutores orgânicos. Além de ser autor de mais de 550 papers com mais de 23.000 citações e de 50 famílias de patentes, o cientista já participou da criação de 8 empresas spinoff. Na sua palestra plenária no XIII Encontro da SBPMat, Karl Leo falará sobre dispositivos orgânicos de alta eficiência, como OLEDs e células solares. Veja nossa entrevista com Karl Leo.
Também falamos com o físico português Luís António Ferreira Martins Dias Carlos, da Universidade de Aveiro, que dará uma palestra plenária em nosso encontro de João Pessoa sobre luminescência aplicada à nanomedicina. Na entrevista, o professor compartilhou conosco seus trabalhos mais destacados na área de Materiais. Ele também nos falou sobre alguns desafios da área de luminescência para aplicações médicas, tanto no diagnóstico por imagens quanto no mapeamento da temperatura intracelular, e citou exemplos de aplicações de materiais luminescentes que estão no mercado e já são utilizadas no diagnóstico e tratamentos de diversas doenças. Veja nossa entrevista com Luís Dias Carlos.
Conversamos com o cientista francês Jean-Marie Dubois, especialista em quasicristais (estruturas ordenadas mas não periódicas de materiais sólidos) e pioneiro no patenteamento de aplicações dos quasicristais. Ele nos contou um pouco quais são suas principais contribuições à área de Materiais e adiantou o tema da sua plenária, na qual falará sobre essa ordem não periódica que está presente em ligas metálicas, polímeros, óxidos e nanoestruturas artificiais e que gera propriedades sem precedentes. Na foto, Jean-Marie Dubois (esquerda) e Dan Shechtman, quem recebeu um Prêmio Nobel em 2011 pelos quasicristais, usando gravatas iguais, decoradas com um mosaico de Penrose – um exemplo típico de aperiodicidade. Veja nossa entrevista com Jean-Marie Dubois.
Também entrevistamos o químico italiano Roberto Dovesi, um dos criadores de CRYSTAL, ferramenta computacional para cálculos quânticos ab initio usados no estudo de diversas propriedades de materiais sólidos. O código CRYSTAL hoje é utilizado em mais de 350 laboratórios no mundo. Na sua palestra plenária, Dovesi tentará demonstrar que, atualmente, simulações quânticas podem ser ferramentas muito úteis para complementar os experimentos. Veja nossa entrevista com Roberto Dovesi.
Entrevistamos o professor Alberto Salleo, da Universidade de Stanford, que falará no XIII Encontro da SBPMat sobre dispositivos eletrônicos orgânicos. Jovem, porém dono de uma carreira que já se destaca internacionalmente, Salleo nos contou sobre os trabalhos de seu grupo, que tem se aprofundado no estudo do papel exercido pelas imperfeições no transporte de cargas em semicondutores orgânicos. Ele também compartilhou conosco seus papers mais destacados, publicados na Nature Materials. Finalmente, Salleo falou sobre os próximos desafios e aplicações da eletrônica orgânica e adiantou o que pretende abordar na sua plenária, que promete ser informativa e amena para um amplo público. Veja nossa entrevista com Alberto Salleo.
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Entrevistas com plenaristas do XIII Encontro da SBPMat: Sir Colin Humphreys (University of Cambridge, Reino Unido).


Professor Sir Colin Humphreys.

Sir Colin Humphreys, PhD pela University of Cambridge e Bacharel em Ciências pelo Imperial College, é Professor do Departamento de Ciência de Materiais e Metalurgia da University of Cambridge, no Reino Unido. Sua pesquisa abrange três temas principais: materiais e dispositivos baseados em nitreto de gálio (GaN), microscopia eletrônica avançada e materiais aeroespaciais para temperaturas ultraelevadas. Ele já publicou centenas de trabalhos sobre microscopia eletrônica e apresentou diversas palestras plenárias e convidadas em todo o mundo. Recebeu prêmios nacionais e internacionais por suas pesquisas sobre difração e microscopia eletrônica, bem como sobre nitreto de gálio.

Sir Colin Humphreys fundou uma empresa spinoff  chamada CamGaN para aplicar a pesquisa com nitreto de gálio de seu grupo em LEDs de baixo custo para a iluminação de casas e escritórios. A empresa foi adquirida em fevereiro de 2012 pela Plessey, que fabrica LEDs baseados nessa tecnologia. O professor Humphreys é o fundador e diretor do Cambridge Centre of Gallium Nitride, um centro de nível internacional com instalações voltadas para caracterização, onde a pesquisa é conduzida desde os estudos fundamentais do GaN até suas aplicações em LEDs e lasers. Também fundou e dirige o Cambridge/Rolls-Royce Centre for Advanced Materials for Aerospace, desenvolvendo materiais que agora voam nos motores Rolls-Royce.

Ele é membro da Royal Society, associação independente que reúne vários dos mais renomados cientistas do mundo, vindos de todas as áreas das Ciências, Engenharias e Medicina, e da Royal Academy of Engineering, do Reino Unido. Também é membro do Selwyn College, uma das 31 unidades autônomas da Cambridge University onde os estudantes vivem, comem, socializam e assistem a algumas aulas. Em 2010, ele foi nomeado Cavaleiro (recebeu uma honraria especial e o título de “Sir” da Rainha da Inglaterra) por serviços prestados à ciência.

O professor Sir Colin Humphreys é autor de mais de 600 trabalhos publicados em revistas arbitradas, com mais de 9.400 citações, e seu índice H é 43. Em suas poucas horas vagas, ele escreve livros sobre ciência e religião, como “The Mistery of the Last Supper: Reconstructing the Final Days of Jesus”, (publicado no Brasil com o título “O Mistério da Última Ceia: uma viagem histórica aos últimos dias de Jesus”) recentemente traduzido para o russo, alemão, português, japonês e grego.

Segue nossa entrevista com o professor, que dará uma palestra plenária no XIII Encontro da SBPMat.

Boletim SBPMat: – Por que o senhor acha que o nitreto de gálio é um dos mais importantes materiais semicondutores? Quais são os principais desafios no campo do nitreto de gálio para cientistas e engenheiros em materiais?

Sir Colin Humphreys: – Acho que o nitreto de gálio é um dos materiais semicondutores mais importantes graças à sua ampla variedade de potenciais aplicações e aos benefícios que serão gerados à humanidade a partir delas. Os principais desafios para alcançar essas aplicações são reduzir os custos dos aparelhos baseados em GaN e elevar ainda mais a sua eficiência.

Boletim SBPMat: – Quais são as suas principais contribuições para o desenvolvimento da Ciência e Engenharia de Materiais?

Sir Colin Humphreys: – Minhas principais contribuições para o desenvolvimento da Ciência e Engenharia de Materiais foram solucionar alguns problemas fascinantes de ciência básica, além de desenvolver materiais para a indústria. Por exemplo, eu dirijo um centro de pesquisa em Materiais Avançados da Rolls-Royce, em Cambridge, e alguns dos materiais que desenvolvemos agora estão voando nos motores Rolls-Royce. Além disso, eu dirijo o Cambridge Centre for Gallium Nitride, e os LEDs de baixo custo que produzimos, baseados em GaN sobre silício, hoje são fabricados no Reino Unido pela Plessey.

Boletim SBPMat: – O Brasil tem se esforçado para transferir tecnologia para a indústria. Enquanto isso, o senhor fundou uma empresa spinoff e centros de pesquisa, e em ambos os casos obteve bons resultados com a transferência de tecnologia. Com base nessa experiência, o que o senhor diria para a comunidade de Pesquisa em Materiais do Brasil sobre concretizar a transferência de tecnologia?

Sir Colin Humphreys: – Em primeiro lugar, cientistas e engenheiros precisam ter uma ideia para um produto novo e melhor. Para convencer a indústria, é importante que preparem e apresentem protótipos dos aparelhos. Caso decidam montar sua própria empresa, geralmente é útil trazer um CEO de fora para dirigir os negócios, porque, em sua maioria, cientistas e engenheiros não são muito bons nisso. A escolha do CEO é crucial. E é realmente importante ser muito bem aconselhado. Eu tive sorte ao montar duas empresas porque recebi vários bons conselhos de graça, já que, no Reino Unido, muitas pessoas de Cambridge criaram suas empresas e podem dar boas orientações. Por fim, concretizar a transferência de tecnologia é divertido, mas também trabalhoso! Pode haver muitas adversidades, mas é preciso perseverar! Além disso, entusiasmem-se com seu produto, porque, se vocês mesmos não se entusiasmarem, os outros tampouco o farão! É preciso realmente acreditar no que se está fazendo.

LEDs de GaN sobre substrato de silício de cerca de 15 cm.

Boletim SBPMat: – Se possível, nos fale um pouco sobre o tema da sua palestra plenária no Encontro da SBPMat.

Sir Colin Humphreys: – Na minha palestra plenária em João Pessoa, planejo começar apresentando algumas micrografias eletrônicas em resolução atômica impressionantes, mostrando átomos únicos de impureza de silício em grafeno e indicando como podem ocupar dois pontos diferentes. Também vou mostrar imagens de átomos de silício dançando em grafeno (sei que os brasileiros são excelentes dançarinos!). Então, vou falar sobre o nitreto de gálio (GaN) e como esse incrível material criado pelo homem provavelmente vai nos poupar mais energia e reduzir mais emissões de CO2 do que a energia solar, a eólica e a biomassa juntas! Descreverei como a microscopia eletrônica avançada e a tomografia de sonda atômica têm sido usadas para responder uma questão fascinante: por que os LEDs de GaN são tão brilhantes quando a densidade de deslocamento é tão alta. Também vou descrever como desenvolver LEDs de GaN em substratos de silício de grande área pode reduzir substancialmente o custo dos LEDs, e como é provável que essa economia permita que os LEDs de GaN sejam a forma predominante de iluminação em nossas casas, escritórios, ruas etc. no futuro próximo. Além disso, vou demonstrar como dispositivos eletrônicos baseados GaN são 40% mais eficientes do que aqueles baseados em silício (Si), e que, portanto, substituir os eletrônicos de Si por GaN nos pouparia mais 10% de eletricidade, além da economia de 10 a 15 % vinda do uso dos LEDs de GaN. Assim, o GaN poderia, potencialmente, reduzir o consumo de eletricidade do mundo em 25%, o que é incrível.

Além da economia de energia e das emissões de carbono, se acrescentarmos alumínio ao GaN, ele emitirá luz ultravioleta (UV) profunda, o que pode matar todas as bactérias e vírus. Então, esses LEDs de UV profunda poderiam ser usados para purificar água em todo o mundo, salvando milhões de vidas. Por fim, falarei sobre como a iluminação otimizada por LEDs pode melhorar tanto a nossa saúde quanto as notas de crianças em idade escolar! Minha palestra vai abordar desde a ciência básica até as aplicações.