O pesquisador, inventor, professor e empresário Carlos Paz de Araujo nasceu no Brasil, na cidade de Natal (RN). Realizou seus estudos superiores em Engenharia Elétrica na Universidade de Notre Dame, nos Estados Unidos. Ao concluir seu doutorado em 1982, ainda na Universidade de Notre Dame, iniciou sua carreira de professor na Universidade de Colorado – Colorado Springs (UCCS), onde permanece até hoje.
Em 1984 foi um dos fundadores da empresa Ramtron – atualmente líder em semicondutores ferroelétricos para diversas aplicações. Em 1986 cofundou a empresa Symetrix Corporation, dedicada à pesquisa em materiais avançados e processos para a indústria de semicondutores. Hoje, Paz de Araujo é chairman executivo da companhia.
O palestrante é detentor de centenas de patentes concedidas nos Estados Unidos e outros países, sendo cerca de 200 delas sobre materiais para FRAM (ferroelectric random access memory).
Paz de Araujo participou de 25 projetos de licenciamento e colaboração com entidades da indústria e do governo, como, por exemplo, Panasonic, Delphi, Harris, Hughes Aircraft, Siemens, Sony, Epson, Ramtron Corporation, STMicroelectronics, IMEC, Micron, Raytheon, NASA e Hynix.
Em 2006 foi distinguido com o prêmio Daniel E. Noble da IEEE, por meio do qual a maior associação profissional do mundo, a IEEE, destaca contribuições notáveis em tecnologias emergentes. Paz de Araujo foi selecionado por suas contribuições fundamentais à área de memórias FRAM e à sua comercialização.
O seu constante trabalho de desenvolvimento de tecnologias e transferência ao mercado resultou em 1,5 bilhão de dispositivos comercializados em diversos países e utilizados em telefones celulares, leitores de DVD, computadores e cartões inteligentes, entre outros produtos.
No XII Encontro da SBPMat, Carlos Paz de Araujo proferirá uma palestra plenária na qual revisará o estado da arte em memórias não voláteis – memórias que conservam a informação armazenada mesmo estando desligadas da fonte de energia, como, por exemplo, as ROM, FLASH e as próprias FRAM. Memórias de tipo FRAM têm significativas vantagens com relação aos outros tipos de memórias não voláteis no que diz respeito a sua alta durabilidade, capacidade de ser regravadas, baixo consumo de energia e velocidade de gravação, entre outras características.
As memórias não voláteis constituem um dos temas mais estudados desde final dos anos 1960 e são atualmente objeto de vigorosa pesquisa e desenvolvimento. O tema ainda apresenta muitos desafios à área de Materiais.
Na palestra, Paz de Araujo também comentará oportunidades de pesquisa, desenvolvimento e comercialização desses dispositivos.