(Português) Bolsa de Pós-Doutorado FAPESP em Dispositivos baseados em Materiais Híbridos


Projeto Temático: Design de materiais: dos materiais quânticos às aplicações em energia (2023/09820-2)

Área do Conhecimento: Física / Ciências dos Materiais / Nanotecnologia

Resumo do Projeto:

Este projeto de pós-doutorado tem como objetivo central o desenvolvimento e a investigação de dispositivos optoeletrônicos, com ênfase na compreensão fundamental das interfaces entre eletrodos e materiais ativos. O estudo focará em duas classes promissoras de materiais híbridos: perovskitas e MOFs (Metal-Organic Frameworks), explorando sinergias entre suas propriedades eletrônicas, ópticas e morfológicas. Um dos pilares da pesquisa será a investigação sistemática de como defeitos em filmes finos e nas interfaces — como vacâncias, impurezas e desordem estrutural — impactam diretamente o desempenho e a estabilidade dos dispositivos. Esses defeitos atuam como centros de recombinação não-radiativa ou como barreiras ao transporte de carga, influenciando decisivamente propriedades-chave como eficiência quântica, mobilidade de cargas e degradação operacional. A metodologia integra três vertentes principais: a síntese química controlada dos materiais, as técnicas avançadas de micro e nanofabricação (incluindo fotolitografia e deposição de filmes finos) para a construção dos dispositivos, e uma caracterização multifuncional abrangente. Será essencial que o(a) bolsista possua a capacidade de correlacionar dados morfológicos e eletroestáticos de alta resolução, obtidos por técnicas de análise de superfície como AFM (Microscopia de Força Atômica), KPFM (Microscopia de Força de Kelvin) e SKPM (Scanning Kelvin Probe Microscopy), com os resultados de medições elétricas e ópticas realizadas nos dispositivos completos. Dessa forma, o projeto não apenas visa a fabricação de protótipos funcionais, mas também busca estabelecer relações estrutura-propriedade robustas, contribuindo para o design racional de uma nova geração de dispositivos optoeletrônicos mais eficientes e estáveis.

Atividades do Bolsista:

  • Síntese e caracterização de nanoestruturas de perovskita e MOFs;
  • Fabricação de dispositivos utilizando fotolitografia e deposição de filmes finos;
  • Caracterização elétrica e óptica dos dispositivos fabricados;
  • Análise de mecanismos de injeção e transporte de cargas em interfaces;
  • Estudo das propriedades de superfície de filmes por meio de técnicas como AFM, KPFM e SKPM;
  • Correlação entre dados morfológicos, eletroestáticos e desempenho dos dispositivos;
  • Redação de artigos científicos e relatórios técnicos.

Requisitos: Doutorado em Física, Ciência e Tecnologia de Materiais ou áreas correlatas;

Experiência comprovada em:

  • Síntese de materiais híbridos;
  • Processos de fabricação de dispositivos, especialmente fotolitografia;
  • Técnicas de caracterização avançada: AFM (Microscopia de Força Atômica), KPFM (Microscopia de Força de Kelvin) e preferencialmente SKPM (Scanning Kelvin Probe Microscopy);
  • Realização e análise de medidas elétricas em dispositivos sólidos;
  • Domínio da língua inglesa (leitura e escrita científica);
  • Capacidade de trabalho em equipe e de correlacionar dados multidisciplinares.

Duração e Local:

O projeto terá duração de até 4 anos, com atividades desenvolvidas principalmente no Departamento de Física da UNESP, campus Rio Claro.

Supervisor:

Prof. Dr. Carlos Cesar Bof Bufon

Como se Candidatar:

Interessados devem enviar CV atualizado para cesar.bof@unesp.br

Prazo para Inscrições: 06/12/2025


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