{"id":6013,"date":"2017-08-23T14:27:59","date_gmt":"2017-08-23T17:27:59","guid":{"rendered":"http:\/\/sbpmat.org.br\/?p=6013"},"modified":"2017-08-31T14:45:50","modified_gmt":"2017-08-31T17:45:50","slug":"entrevista-com-kenneth-e-gonsalves-distinguished-professor-do-indian-institute-of-technology-mandi-india","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sbpmat.org.br\/pt\/entrevista-com-kenneth-e-gonsalves-distinguished-professor-do-indian-institute-of-technology-mandi-india\/","title":{"rendered":"Entrevista com Kenneth E. Gonsalves (professor do Indian Institute of Technology Mandi, India)."},"content":{"rendered":"

\"gonsalves_foto\"<\/a>Na corrida por desenvolver chips cada vez menores e de melhor desempenho, v\u00e1rias limita\u00e7\u00f5es tecnol\u00f3gicas precisam ser superadas. Hoje, os gargalos para continuar nessa tend\u00eancia se encontram, principalmente, nas t\u00e9cnicas para fabricar circuitos eletr\u00f4nicos de menos de 10 nm. Dentre as t\u00e9cnicas que est\u00e3o sendo aprimoradas para fabricar a pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de chips, uma das mais promissoras \u00e9 a litografia por luz ultravioleta extrema, conhecida pela sigla em ingl\u00eas EUVL (extreme ultraviolet lithography<\/em>), que aproveita o curt\u00edssimo comprimento de onda desse tipo de radia\u00e7\u00e3o para gravar circuitos nanom\u00e9tricos em cima dos \u201cresistes\u201d \u2013 finas camadas de material sens\u00edvel \u00e0 radia\u00e7\u00e3o que cobrem o substrato do chip durante sua fabrica\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

No XVI Encontro da SBPMat<\/a>, a palestra plen\u00e1ria da tarde 12 de setembro discutir\u00e1 uma importante contribui\u00e7\u00e3o que a \u00e1rea de materiais pode fazer \u00e0 fabrica\u00e7\u00e3o da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de chips: o desenvolvimento de resistes adequados \u00e0 fabrica\u00e7\u00e3o de circuitos eletr\u00f4nicos de menos de 10 nm por EUVL.<\/p>\n

O assunto ser\u00e1 apresentado por Kenneth E. Gonsalves,\u00a0D<\/em>istinguished Professor<\/em>\u00a0do\u00a0Indian Institute of Technology Mandi<\/em>\u00a0(IIT Mandi), institui\u00e7\u00e3o indiana de ensino e pesquisa cient\u00edfica e tecnol\u00f3gica criada em 2009, aonde Gonsalves chegou em 2012 como professor visitante.<\/p>\n

Gonsalves formou-se em Qu\u00edmica pela\u00a0University of Delhi<\/em>\u00a0(India). Depois, fez mestrado, tamb\u00e9m em Qu\u00edmica, no Boston College (EUA) e doutorado na\u00a0University of Massachusetts at Amherst<\/em>(EUA), com uma tese sobre s\u00edntese de pol\u00edmeros. Posteriormente, especializou-se em cer\u00e2mica polim\u00e9rica (polymer ceramics) no MIT (EUA).\u00a0De 2001 a 2014, ele\u00a0ocupou a cadeira\u00a0Celanese Acetate<\/em>\u00a0de materiais polim\u00e9ricos na\u00a0University of North Carolina at Charlotte<\/em>\u00a0(EUA).<\/p>\n

Junto a seu grupo de pesquisa no instituto indiano e a seus colaboradores dos Estados Unidos, \u00cdndia, Brasil e Europa, Gonsalves tem realizado projetos de desenvolvimento de resistes para t\u00e9cnicas de nanofabrica\u00e7\u00e3o avan\u00e7adas, contando com financiamento grandes empresas do segmento da eletr\u00f4nica.<\/p>\n

Aqui segue uma breve entrevista com o pesquisador.<\/p>\n

Boletim da SBPMat: – Conte-nos um pouco sobre suas principais contribui\u00e7\u00f5es cient\u00edficas \/ tecnol\u00f3gicas.<\/strong><\/p>\n

Kenneth Gonsalves: – Minha pesquisa centrou-se em pol\u00edmeros com \u00eanfase na s\u00edntese de novos materiais. Nos \u00faltimos 20 anos, concentrei-me na tecnologia de resistes para a fabrica\u00e7\u00e3o de CI (circuitos integrados). Esta \u00e9 uma \u00e1rea fascinante, pois possui importantes aplica\u00e7\u00f5es tecnol\u00f3gicas no desenvolvimento de circuitos integrados, dispositivos de estado s\u00f3lido. Al\u00e9m disso, tamb\u00e9m pode ser usada com sucesso em engenharia de c\u00e9lulas e tecidos para arcabou\u00e7os (scaffolds<\/em>) para biotecnologias.<\/p>\n

Boletim da SBPMat: – Sobre os resistes nos quais voc\u00ea est\u00e1 trabalhando, quais habilidades s\u00e3o necess\u00e1rias para desenvolv\u00ea-los, na sua opini\u00e3o? E quando essa pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de chips dever\u00e1 estar dispon\u00edvel?<\/strong><\/p>\n

Kenneth Gonsalves: – A P&D de resistes \u00e9 multifacetada e extremamente complexa. Exige colabora\u00e7\u00f5es extensas entre qu\u00edmicos org\u00e2nicos, inorg\u00e2nicos e de pol\u00edmeros. Al\u00e9m disso, a intera\u00e7\u00e3o com f\u00edsicos e engenheiros el\u00e9tricos \/ eletr\u00f4nicos \u00e9 essencial. A pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de chips no nodo de 14 nm est\u00e1 atualmente dispon\u00edvel. A tecnologia de nodos sub 7 nm est\u00e1 prevista para 2018.<\/p>\n

Boletim da SBPMat: – Descreva da maneira mais simples e breve poss\u00edvel o processo de EUVL, sem esquecer de mencionar o papel dos resistes.<\/strong><\/p>\n

Kenneth Gonsalves: – Os f\u00f3tons EUV s\u00e3o gerados por uma fonte de plasma ou s\u00edncrotron que opera a um comprimento de onda de 13,5 nm. Atrav\u00e9s de uma s\u00e9rie de espelhos especiais e uma m\u00e1scara, o modelo pr\u00e9-designado para a fabrica\u00e7\u00e3o do circuito integrado \u00e9 projetado em materiais fotossens\u00edveis, como pol\u00edmeros e inorg\u00e2nicos. Tudo isso \u00e9 conduzido no v\u00e1cuo, um desafio para a ind\u00fastria de fabrica\u00e7\u00e3o de circuitos integrados, uma vez que \u00e9 uma mudan\u00e7a dr\u00e1stica com rela\u00e7\u00e3o \u00e0 atual tecnologia de fotolitografia, que funciona em condi\u00e7\u00f5es ambientais. O comprimento de onda EUV extremamente curto \u00e9 um pr\u00e9-requisito para padr\u00f5es da escala sub 20 nm. Os desafios para resistes que podem atender aos requisitos de nodo sub 7 nm s\u00e3o enormes. Um novo paradigma \u00e9 primordial – os resistes\u00a0h\u00edbridos, que s\u00e3o parcialmente inorg\u00e2nicos, podem fornecer solu\u00e7\u00f5es para modelagem nessas escalas. As m\u00e1scaras r\u00edgidas inorg\u00e2nicas s\u00e3o outra alternativa. A sensibilidade desses fotorresistes deve ser aumentada drasticamente para atender a produ\u00e7\u00e3o em massa de chips. Existem v\u00e1rios outros par\u00e2metros cr\u00edticos que devem ser atendidos para um sistema de resistes\u00a0bem-sucedido. Mais uma vez, isso exige uma colabora\u00e7\u00e3o multidisciplinar, multi-institucional e industrial em escala global.<\/p>\n

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Mais Informa\u00e7\u00f5es<\/strong><\/p>\n

No site da reuni\u00e3o do XVI B-MRS, clique na foto de Kenneth Gonsalves e veja seu mini CV e o resumo de sua palestra plen\u00e1ria:\u00a0http:\/\/sbpmat.org.br\/16encontro\/home\/<\/a><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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