{"id":2610,"date":"2014-09-19T16:40:35","date_gmt":"2014-09-19T19:40:35","guid":{"rendered":"http:\/\/sbpmat.org.br\/?p=2610"},"modified":"2016-12-20T17:01:13","modified_gmt":"2016-12-20T20:01:13","slug":"english-interviews-with-plenary-lecturers-of-the-xiii-sbpmat-meeting-sir-colin-humphreys-university-of-cambridge-u-k","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sbpmat.org.br\/pt\/english-interviews-with-plenary-lecturers-of-the-xiii-sbpmat-meeting-sir-colin-humphreys-university-of-cambridge-u-k\/","title":{"rendered":"Entrevistas com plenaristas do XIII Encontro da SBPMat: Sir Colin Humphreys (University of Cambridge, Reino Unido)."},"content":{"rendered":"

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Professor Sir Colin Humphreys.<\/figcaption><\/figure><\/p>\n

Sir Colin Humphreys, PhD pela University of Cambridge<\/em> e Bacharel em Ci\u00eancias pelo Imperial College<\/em>, \u00e9 Professor do Departamento de Ci\u00eancia de Materiais e Metalurgia da University of Cambridge<\/em>, no\u00a0Reino Unido. Sua pesquisa abrange tr\u00eas temas principais: materiais e dispositivos baseados em nitreto de g\u00e1lio (GaN), microscopia eletr\u00f4nica avan\u00e7ada e materiais aeroespaciais para temperaturas ultraelevadas. Ele j\u00e1 publicou centenas de trabalhos sobre microscopia eletr\u00f4nica e apresentou diversas palestras plen\u00e1rias e convidadas em todo o mundo. Recebeu pr\u00eamios nacionais e internacionais por suas pesquisas sobre difra\u00e7\u00e3o e microscopia eletr\u00f4nica, bem como sobre nitreto de g\u00e1lio.<\/p>\n

Sir Colin Humphreys fundou uma empresa spinoff<\/em>\u00a0 chamada CamGaN para aplicar a pesquisa com nitreto de g\u00e1lio de seu grupo em LEDs de baixo custo para a ilumina\u00e7\u00e3o de casas e escrit\u00f3rios. A empresa foi adquirida em fevereiro de 2012 pela Plessey<\/a>, que fabrica LEDs baseados nessa tecnologia. O professor Humphreys \u00e9 o fundador e diretor do Cambridge Centre of Gallium Nitride<\/a><\/em>, um centro de n\u00edvel internacional com instala\u00e7\u00f5es voltadas para caracteriza\u00e7\u00e3o, onde a pesquisa \u00e9 conduzida desde os estudos fundamentais do GaN at\u00e9 suas aplica\u00e7\u00f5es em LEDs e lasers. Tamb\u00e9m fundou e dirige o Cambridge\/Rolls-Royce Centre for Advanced Materials for Aerospace<\/em>, desenvolvendo materiais que agora voam nos motores Rolls-Royce.<\/p>\n

Ele \u00e9 membro da Royal Society<\/em>, associa\u00e7\u00e3o independente que re\u00fane v\u00e1rios dos mais renomados cientistas do mundo, vindos de todas as \u00e1reas das Ci\u00eancias, Engenharias e Medicina, e da Royal Academy of Engineering<\/em>, do Reino Unido. Tamb\u00e9m \u00e9 membro do Selwyn College<\/em>, uma das 31 unidades aut\u00f4nomas da Cambridge University onde os estudantes vivem, comem, socializam e assistem a algumas aulas. Em 2010, ele foi nomeado Cavaleiro (recebeu uma honraria especial e o t\u00edtulo de “Sir” da Rainha da Inglaterra) por servi\u00e7os prestados \u00e0 ci\u00eancia.<\/p>\n

O professor Sir Colin Humphreys \u00e9 autor de mais de 600 trabalhos publicados em revistas arbitradas, com mais de 9.400 cita\u00e7\u00f5es, e seu \u00edndice H \u00e9 43. Em suas poucas horas vagas, ele escreve livros sobre ci\u00eancia e religi\u00e3o, como \u201cThe Mistery of the Last Supper: Reconstructing the Final Days of Jesus<\/em>\u201d, (publicado no Brasil com o t\u00edtulo \u201cO Mist\u00e9rio da \u00daltima Ceia: uma viagem hist\u00f3rica aos \u00faltimos dias de Jesus\u201d) recentemente traduzido para o russo, alem\u00e3o, portugu\u00eas, japon\u00eas e grego.<\/p>\n

Segue nossa entrevista com o professor, que dar\u00e1 uma palestra plen\u00e1ria no XIII Encontro da SBPMat.<\/p>\n

Boletim SBPMat: – Por que o senhor acha que o nitreto de g\u00e1lio \u00e9 um dos mais importantes materiais semicondutores? Quais s\u00e3o os principais desafios no campo do nitreto de g\u00e1lio para cientistas e engenheiros em materiais?<\/strong><\/p>\n

Sir Colin Humphreys: – Acho que o nitreto de g\u00e1lio \u00e9 um dos materiais semicondutores mais importantes gra\u00e7as \u00e0 sua ampla variedade de potenciais aplica\u00e7\u00f5es e aos benef\u00edcios que ser\u00e3o gerados \u00e0 humanidade a partir delas. Os principais desafios para alcan\u00e7ar essas aplica\u00e7\u00f5es s\u00e3o reduzir os custos dos aparelhos baseados em GaN e elevar ainda mais a sua efici\u00eancia.<\/p>\n

Boletim SBPMat: – Quais s\u00e3o as suas principais contribui\u00e7\u00f5es para o desenvolvimento da Ci\u00eancia e Engenharia de Materiais?<\/strong><\/p>\n

Sir Colin Humphreys: – Minhas principais contribui\u00e7\u00f5es para o desenvolvimento da Ci\u00eancia e Engenharia de Materiais foram solucionar alguns problemas fascinantes de ci\u00eancia b\u00e1sica, al\u00e9m de desenvolver materiais para a ind\u00fastria. Por exemplo, eu dirijo um centro de pesquisa em Materiais Avan\u00e7ados da Rolls-Royce, em Cambridge, e alguns dos materiais que desenvolvemos agora est\u00e3o voando nos motores Rolls-Royce. Al\u00e9m disso, eu dirijo o Cambridge Centre for Gallium Nitride<\/em>, e os LEDs de baixo custo que produzimos, baseados em GaN sobre sil\u00edcio, hoje s\u00e3o fabricados no Reino Unido pela Plessey.<\/p>\n

Boletim SBPMat: – O Brasil tem se esfor\u00e7ado para transferir tecnologia para a ind\u00fastria. Enquanto isso, o senhor fundou uma empresa spinoff<\/em> e centros de pesquisa, e em ambos os casos obteve bons resultados com a transfer\u00eancia de tecnologia. Com base nessa experi\u00eancia, o que o senhor diria para a comunidade de Pesquisa em Materiais do Brasil sobre concretizar a transfer\u00eancia de tecnologia?<\/strong><\/p>\n

Sir Colin Humphreys: – Em primeiro lugar, cientistas e engenheiros precisam ter uma ideia para um produto novo e melhor. Para convencer a ind\u00fastria, \u00e9 importante que preparem e apresentem prot\u00f3tipos dos aparelhos. Caso decidam montar sua pr\u00f3pria empresa, geralmente \u00e9 \u00fatil trazer um CEO de fora para dirigir os neg\u00f3cios, porque, em sua maioria, cientistas e engenheiros n\u00e3o s\u00e3o muito bons nisso. A escolha do CEO \u00e9 crucial. E \u00e9 realmente importante ser muito bem aconselhado. Eu tive sorte ao montar duas empresas porque recebi v\u00e1rios bons conselhos de gra\u00e7a, j\u00e1 que, no Reino Unido, muitas pessoas de Cambridge criaram suas empresas e podem dar boas orienta\u00e7\u00f5es. Por fim, concretizar a transfer\u00eancia de tecnologia \u00e9 divertido, mas tamb\u00e9m trabalhoso! Pode haver muitas adversidades, mas \u00e9 preciso perseverar! Al\u00e9m disso, entusiasmem-se com seu produto, porque, se voc\u00eas mesmos n\u00e3o se entusiasmarem, os outros tampouco o far\u00e3o! \u00c9 preciso realmente acreditar no que se est\u00e1 fazendo.<\/p>\n

\"\"<\/a>
LEDs de GaN sobre substrato de sil\u00edcio de cerca de 15 cm.<\/figcaption><\/figure>\n

Boletim SBPMat: – Se poss\u00edvel, nos fale um pouco sobre o tema da sua palestra plen\u00e1ria no Encontro da SBPMat.<\/strong><\/p>\n

Sir Colin Humphreys: – Na minha palestra plen\u00e1ria em Jo\u00e3o Pessoa, planejo come\u00e7ar apresentando algumas micrografias eletr\u00f4nicas em resolu\u00e7\u00e3o at\u00f4mica impressionantes, mostrando \u00e1tomos \u00fanicos de impureza de sil\u00edcio em grafeno e indicando como podem ocupar dois pontos diferentes. Tamb\u00e9m vou mostrar imagens de \u00e1tomos de sil\u00edcio dan\u00e7ando em grafeno (sei que os brasileiros s\u00e3o excelentes dan\u00e7arinos!). Ent\u00e3o, vou falar sobre o nitreto de g\u00e1lio (GaN) e como esse incr\u00edvel material criado pelo homem provavelmente vai nos poupar mais energia e reduzir mais emiss\u00f5es de CO2 do que a energia solar, a e\u00f3lica e a biomassa juntas! Descreverei como a microscopia eletr\u00f4nica avan\u00e7ada e a tomografia de sonda at\u00f4mica t\u00eam sido usadas para responder uma quest\u00e3o fascinante: por que os LEDs de GaN s\u00e3o t\u00e3o brilhantes quando a densidade de deslocamento \u00e9 t\u00e3o alta. Tamb\u00e9m vou descrever como desenvolver LEDs de GaN em substratos de sil\u00edcio de grande \u00e1rea pode reduzir substancialmente o custo dos LEDs, e como \u00e9 prov\u00e1vel que essa economia permita que os LEDs de GaN sejam a forma predominante de ilumina\u00e7\u00e3o em nossas casas, escrit\u00f3rios, ruas etc. no futuro pr\u00f3ximo. Al\u00e9m disso, vou demonstrar como dispositivos eletr\u00f4nicos baseados GaN s\u00e3o 40% mais eficientes do que aqueles baseados em sil\u00edcio (Si), e que, portanto, substituir os eletr\u00f4nicos de Si por GaN nos pouparia mais 10% de eletricidade, al\u00e9m da economia de 10 a 15 % vinda do uso dos LEDs de GaN. Assim, o GaN poderia, potencialmente, reduzir o consumo de eletricidade do mundo em 25%, o que \u00e9 incr\u00edvel.<\/p>\n

Al\u00e9m da economia de energia e das emiss\u00f5es de carbono, se acrescentarmos alum\u00ednio ao GaN, ele emitir\u00e1 luz ultravioleta (UV) profunda, o que pode matar todas as bact\u00e9rias e v\u00edrus. Ent\u00e3o, esses LEDs de UV profunda poderiam ser usados para purificar \u00e1gua em todo o mundo, salvando milh\u00f5es de vidas. Por fim, falarei sobre como a ilumina\u00e7\u00e3o otimizada por LEDs pode melhorar tanto a nossa sa\u00fade quanto as notas de crian\u00e7as em idade escolar! Minha palestra vai abordar desde a ci\u00eancia b\u00e1sica at\u00e9 as aplica\u00e7\u00f5es.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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