Workshop:  Crescimento, Caracterização e Aplicações de Dispositivos Semicondutores Nanoestruturados a Base de Nitretos do Grupo III
 
O grupo de Nitretos semicondutores de banda larga BN, AlN, GaN, InN e seus ternários AlGaN, InGaN, AlInN e quaternários AlGaInN, são usados amplamente utilizados na tecnologia de dispositivos de optoeletrônica e eletrônica. O progresso recente neste campo, conduzindo a fabricação LEDs no UV-verde-azul (LEDs), assim como de lasers de diodos azul-violeta (LDs), detetores UV, detetores de raio-X e dispositivos para alta voltagem, alta freqüência e alta temperatura têm sido discutido por vários autores. Embora a maioria dos trabalhos refira-se à fase hexagonal estável destes materiais, a fase cúbica metaestável surge como uma alternativa para aplicações em dispositivos. Recentemente, c-GaN crescidos por MOCVD e por MBE assistido por plasma em substratos de GaAs (001) foram utilizados para fazer LEDs com junções p-n. A fabricação de LEDs a partir de c-GaN crescidos sobre SiC/Si por MBE e as primeiras heteroestruturas duplas c-InGaN/GaN crescidas sobre substratos GaAs (001) por MOCVD também foram reportadas recentemente. Também os estudos das propriedades básicas dos nitretos cúbicos do grupo III são muito importantes para a compreensão das características do dispositivo e melhoria do seu desempenho. Contrário a seus nitretos hexagonais, as estruturas cúbicas não apresentam modulações devido a polarização espontânea e aos efeitos piezoeléctricos induzidos por tensão.

O presente workshop focaliza os progressos recentes realizados no crescimento, caracterização e aplicações de nitretos cúbicos do grupo III. A origem da luminescência azul-verde de LEDs com base nestes nitretos é um tema central. O estágio atual dos níveis de dopagem n e p atingidos em nitretos cúbicos será discutido e comparado com o progresso realizado nos nitretos hexagonais.

Palavra-chave: Nitretos cúbicos

 

Organizadores 

José Roberto Leite
Depto. de Física, USP
E-mail: jrleite@if.usp.br

Eronides F. da Silva Jr.
Depto de Física, UFPe
E-mail: eron@npd.ufpe.br

Lista Final de Palestrantes Convidados:

Alexandre P. Lima (Munich, Germany)
Eudenilson L. Albuquerque (UFRN)
Fernando Cerdeira (Unicamp)
Fernandio Ponce (ASU, USA)
Ivan Costa da Cunha Lima (UERJ)
Jaime A. Freitas, Jr. (Naval Research Lab, USA)
Klaus Lischka (Paderborn, Germany)
Luísa M.R. Scolfaro (USP)
Manijeh Razeghi (Northwestern, USA)
Robert Nemanich (NCSU, USA)
Valder N. Freire (UFC)